一种原子层沉积氮化钛薄膜方法及原子层沉积设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510883454.6

申请日：

2025-06-29

公开(公告)号：

CN120649004A

公开(公告)日：

2025-09-16

发明(设计)人：

明帅强戴昕童夏洋屈芙蓉何萌赵丽莉吴非夏天

申请人：

北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司中国科学院微电子研究所

申请人地址：

102600 北京市大兴区北京经济技术开发区核心区34M3地块

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/34

代理机构：

北京知迪知识产权代理有限公司 11628

代理人：

张子宽

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-16	公开	公开
2025-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20250629

共 50 条

[1]

原子层沉积方法和原子层沉积设备 [P].

古尔特基·S·桑赫 ;

特鲁格·特里·多恩 .

中国专利 :CN100346448C ,2005-10-26

[2]

原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法 [P].

陈蓉 ;

曹坤 ;

严谨 ;

单斌 ;

李易诚 ;

胡嘉成 .

中国专利 :CN115198252B ,2024-04-23

[3]

原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备 [P].

陈蓉 ;

叶容利 ;

曹坤 ;

单斌 ;

王威振 .

中国专利 :CN119121187A ,2024-12-13

[4]

原子层沉积设备及清洗方法 [P].

赵雷超 ;

张文强 ;

史小平 ;

郑波 ;

赵联波 ;

纪红 ;

李贺 ;

马原 .

中国专利 :CN112458435B ,2021-03-09

[5]

原子层沉积设备 [P].

周友华 ;

庄国胜 .

中国专利 :CN106978599A ,2017-07-25

[6]

原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置 [P].

邵大立 ;

齐彪 ;

马敬忠 .

中国专利 :CN115404463A ,2022-11-29

[7]

原子层沉积设备 [P].

潘丽君 ;

张恩慈 ;

陈庆尧 ;

白海健 .

中国专利 :CN220364583U ,2024-01-19

[8]

原子层沉积设备 [P].

郑磊 .

中国专利 :CN222512967U ,2025-02-21

[9]

原子层沉积设备 [P].

智顺华 ;

钱一萍 ;

许所昌 ;

吴飚 ;

周仁 .

中国专利 :CN115613009A ,2023-01-17

[10]

原子层沉积设备 [P].

李兴存 ;

白志民 ;

张彦召 .

中国专利 :CN104746046A ,2015-07-01

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