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原子层沉积设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201611043342.7
申请日
:
2016-11-11
公开(公告)号
:
CN106978599A
公开(公告)日
:
2017-07-25
发明(设计)人
:
周友华
庄国胜
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
IPC主分类号
:
C23C16455
IPC分类号
:
C23C1652
代理机构
:
南京正联知识产权代理有限公司 32243
代理人
:
顾伯兴
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-07-25
公开
公开
2019-08-02
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 16/455 申请公布日:20170725
共 50 条
[1]
原子层沉积方法和原子层沉积设备
[P].
古尔特基·S·桑赫
论文数:
0
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0
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0
古尔特基·S·桑赫
;
特鲁格·特里·多恩
论文数:
0
引用数:
0
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0
特鲁格·特里·多恩
.
中国专利
:CN100346448C
,2005-10-26
[2]
原子层沉积设备
[P].
潘丽君
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0
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0
机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
潘丽君
;
张恩慈
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0
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
张恩慈
;
陈庆尧
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
陈庆尧
;
白海健
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0
机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
白海健
.
中国专利
:CN220364583U
,2024-01-19
[3]
原子层沉积设备
[P].
智顺华
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智顺华
;
钱一萍
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钱一萍
;
许所昌
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许所昌
;
吴飚
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吴飚
;
周仁
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0
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周仁
.
中国专利
:CN115613009A
,2023-01-17
[4]
原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备
[P].
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机构:
陈蓉
;
叶容利
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
叶容利
;
论文数:
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机构:
曹坤
;
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机构:
单斌
;
王威振
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0
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
王威振
.
中国专利
:CN119121187A
,2024-12-13
[5]
原子层沉积设备机柜
[P].
逯文冬
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0
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0
逯文冬
;
耿晨宇
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0
耿晨宇
;
郑锦
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郑锦
;
黄省三
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0
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黄省三
.
中国专利
:CN305679664S
,2020-04-03
[6]
原子层沉积设备
[P].
王祥慧
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0
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0
王祥慧
.
中国专利
:CN105463407A
,2016-04-06
[7]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
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0
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
朱凌锋
;
陈培杰
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0
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
陈培杰
;
胡汉彦
论文数:
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
胡汉彦
;
张华敏
论文数:
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
张华敏
;
刘海博
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
刘海博
;
罗丹
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
罗丹
.
中国专利
:CN221608192U
,2024-08-27
[8]
原子层沉积设备
[P].
杭天华
论文数:
0
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0
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0
杭天华
.
中国专利
:CN304842776S
,2018-10-09
[9]
原子层沉积设备
[P].
孙文檠
论文数:
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孙文檠
;
钟允升
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0
钟允升
;
蓝崇文
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0
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0
蓝崇文
.
中国专利
:CN101736317A
,2010-06-16
[10]
原子层沉积设备
[P].
王良栋
论文数:
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机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
王良栋
;
陈金良
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机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陈金良
;
宋维聪
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机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
宋维聪
;
李文涛
论文数:
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机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
李文涛
.
中国专利
:CN222861631U
,2025-05-13
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