原子层沉积设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410454132.1

申请日：

2014-09-05

公开(公告)号：

CN105463407A

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

王祥慧

申请人：

申请人地址：

110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号3楼

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

刘锋

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/455 变更事项:专利权人变更前:拓荆科技股份有限公司变更后:拓荆科技股份有限公司变更事项:地址变更前:110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号3楼变更后:110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
2016-04-06	公开	公开
2016-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658482890 IPC(主分类):C23C 16/455 专利申请号:2014104541321 申请日:20140905
2021-03-19	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/455 变更事项:专利权人变更前:沈阳拓荆科技有限公司变更后:拓荆科技股份有限公司变更事项:地址变更前:110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号3楼变更后:110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号3楼
2018-12-07	授权	授权

共 50 条

[1]

原子层沉积设备 [P].

王祥慧 .

中国专利 :CN204080104U ,2015-01-07

[2]

原子层沉积设备 [P].

孙锋 ;

黄周师 ;

何坤鹏 .

中国专利 :CN222631551U ,2025-03-18

[3]

原子层沉积设备 [P].

周兴宝 ;

毛文瑞 ;

潘景伟 ;

廖宝臣 ;

黎微明 .

中国专利 :CN117051378B ,2025-10-03

[4]

原子层沉积设备 [P].

申雄澈 ;

崔圭政 ;

白敏 ;

杨澈勋 .

中国专利 :CN111549332A ,2020-08-18

[5]

原子层沉积方法和原子层沉积设备 [P].

古尔特基·S·桑赫 ;

特鲁格·特里·多恩 .

中国专利 :CN100346448C ,2005-10-26

[6]

原子层沉积设备的进气装置及原子层沉积设备 [P].

纪红 ;

赵培洋 ;

赵可可 .

中国专利 :CN113416945A ,2021-09-21

[7]

原子层沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

陈培杰 ;

胡汉彦 ;

张华敏 ;

刘海博 ;

罗丹 .

中国专利 :CN221608192U ,2024-08-27

[8]

原子层沉积设备 [P].

周友华 ;

庄国胜 .

中国专利 :CN106978599A ,2017-07-25

[9]

原子层沉积设备 [P].

杭天华 .

中国专利 :CN304842776S ,2018-10-09

[10]

原子层沉积设备 [P].

孙文檠 ;

钟允升 ;

蓝崇文 .

中国专利 :CN101736317A ,2010-06-16

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