原子层沉积设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202323665331.0

申请日：

2023-12-29

公开(公告)号：

CN221608192U

公开(公告)日：

2024-08-27

发明(设计)人：

曹建伟朱凌锋陈培杰胡汉彦张华敏刘海博罗丹

申请人：

浙江求是创芯半导体设备有限公司

申请人地址：

311100 浙江省杭州市临平区杭州余杭经济技术开发区顺达路500号1幢103室

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

F16J15/06

代理机构：

杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329

代理人：

赵杰香

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-27	授权	授权

共 50 条

[1]

原子层沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

陈培杰 ;

胡汉彦 ;

罗丹 ;

张华敏 ;

刘海博 .

中国专利 :CN221480068U ,2024-08-06

[2]

新型原子层沉积设备 [P].

陈宇林 ;

王东君 .

中国专利 :CN202193841U ,2012-04-18

[3]

原子层沉积设备 [P].

王良栋 ;

陈金良 ;

宋维聪 ;

李文涛 .

中国专利 :CN222861631U ,2025-05-13

[4]

原子层沉积设备 [P].

王祥慧 .

中国专利 :CN204080104U ,2015-01-07

[5]

原子层沉积设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN220846263U ,2024-04-26

[6]

原子层沉积设备 [P].

林俊成 ;

易锦良 ;

许雲齐 .

中国专利 :CN214400707U ,2021-10-15

[7]

原子层沉积设备 [P].

潘丽君 ;

张恩慈 ;

陈庆尧 ;

白海健 .

中国专利 :CN220364583U ,2024-01-19

[8]

原子层沉积设备 [P].

郑磊 .

中国专利 :CN222512967U ,2025-02-21

[9]

原子层沉积设备 [P].

林俊成 ;

郭大豪 .

中国专利 :CN214088657U ,2021-08-31

[10]

原子层沉积设备 [P].

王祥慧 .

中国专利 :CN204080102U ,2015-01-07

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