原子层沉积设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420513408.4

申请日：

2014-09-05

公开(公告)号：

CN204080104U

公开(公告)日：

2015-01-07

发明(设计)人：

王祥慧

申请人：

申请人地址：

110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号3楼

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

刘锋

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/455 变更事项:专利权人变更前:沈阳拓荆科技有限公司变更后:拓荆科技股份有限公司变更事项:地址变更前:110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号3楼变更后:110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号3楼
2015-01-07	授权	授权
2021-03-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/455 变更事项:专利权人变更前:拓荆科技股份有限公司变更后:拓荆科技股份有限公司变更事项:地址变更前:110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号3楼变更后:110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号

共 50 条

[1]

原子层沉积设备 [P].

王祥慧 .

中国专利 :CN105463407A ,2016-04-06

[2]

原子层沉积设备 [P].

孙锋 ;

黄周师 ;

何坤鹏 .

中国专利 :CN222631551U ,2025-03-18

[3]

原子层沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

陈培杰 ;

胡汉彦 ;

张华敏 ;

刘海博 ;

罗丹 .

中国专利 :CN221608192U ,2024-08-27

[4]

原子层沉积设备 [P].

王良栋 ;

陈金良 ;

宋维聪 ;

李文涛 .

中国专利 :CN222861631U ,2025-05-13

[5]

原子层沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

陈培杰 ;

胡汉彦 ;

罗丹 ;

张华敏 ;

刘海博 .

中国专利 :CN221480068U ,2024-08-06

[6]

原子层沉积设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN220846263U ,2024-04-26

[7]

原子层沉积设备 [P].

林俊成 ;

易锦良 ;

许雲齐 .

中国专利 :CN214400707U ,2021-10-15

[8]

原子层沉积设备 [P].

潘丽君 ;

张恩慈 ;

陈庆尧 ;

白海健 .

中国专利 :CN220364583U ,2024-01-19

[9]

原子层沉积设备 [P].

郑磊 .

中国专利 :CN222512967U ,2025-02-21

[10]

原子层沉积设备 [P].

周兴宝 ;

毛文瑞 ;

潘景伟 ;

廖宝臣 ;

黎微明 .

中国专利 :CN117051378B ,2025-10-03

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