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原子层沉积方法及用于在衬底上沉积层的相关方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510488137.4
申请日
:
2025-04-18
公开(公告)号
:
CN120830091A
公开(公告)日
:
2025-10-24
发明(设计)人
:
J·L·温克勒
申请人
:
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址
:
荷兰阿尔梅勒
IPC主分类号
:
C23C16/455
IPC分类号
:
C23C16/52
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
王冉
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-24
公开
公开
共 50 条
[21]
原子层沉积装置及原子层沉积的制造方法
[P].
杨士逸
论文数:
0
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0
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机构:
奥恒科技股份有限公司
奥恒科技股份有限公司
杨士逸
.
中国专利
:CN120174344A
,2025-06-20
[22]
原子层沉积的喷淋密封结构及原子层沉积设备
[P].
黄政
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机构:
大族激光科技产业集团股份有限公司
大族激光科技产业集团股份有限公司
黄政
;
刘劲麟
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机构:
大族激光科技产业集团股份有限公司
大族激光科技产业集团股份有限公司
刘劲麟
;
倪永金
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0
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机构:
大族激光科技产业集团股份有限公司
大族激光科技产业集团股份有限公司
倪永金
.
中国专利
:CN222631548U
,2025-03-18
[23]
用于原子层沉积设备的气体调节装置及原子层沉积设备
[P].
李正栋
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
李正栋
;
李亚涛
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
李亚涛
.
中国专利
:CN120366744A
,2025-07-25
[24]
原子层沉积用承载舟及原子层沉积设备
[P].
黄政
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机构:
大族激光科技产业集团股份有限公司
大族激光科技产业集团股份有限公司
黄政
;
孙家兴
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机构:
大族激光科技产业集团股份有限公司
大族激光科技产业集团股份有限公司
孙家兴
;
陈培宁
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机构:
大族激光科技产业集团股份有限公司
大族激光科技产业集团股份有限公司
陈培宁
.
中国专利
:CN222455207U
,2025-02-11
[25]
原子层沉积方法以及原子层沉积系统
[P].
邵大立
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
邵大立
;
史皓然
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
史皓然
;
齐彪
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
齐彪
;
李宇晗
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
李宇晗
;
陆淋康
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
陆淋康
;
刘子婵
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
刘子婵
;
马敬忠
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机构:
上海星原驰半导体有限公司
上海星原驰半导体有限公司
马敬忠
.
中国专利
:CN117265510B
,2024-02-27
[26]
原子层沉积方法和原子层沉积装置
[P].
佐藤英儿
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机构:
新烯控股有限公司
新烯控股有限公司
佐藤英儿
;
坂本仁志
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机构:
新烯控股有限公司
新烯控股有限公司
坂本仁志
.
日本专利
:CN120153123A
,2025-06-13
[27]
原子层沉积装置和原子层沉积方法
[P].
龟田直人
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龟田直人
;
三浦敏德
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三浦敏德
;
花仓满
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花仓满
.
中国专利
:CN114286875A
,2022-04-05
[28]
原子层沉积装置和原子层沉积方法
[P].
长井博之
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长井博之
;
桑山哲朗
论文数:
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0
桑山哲朗
.
中国专利
:CN104141117B
,2014-11-12
[29]
用于原子层沉积的系统和方法
[P].
E·J·C·刘
论文数:
0
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0
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0
E·J·C·刘
.
中国专利
:CN109666921A
,2019-04-23
[30]
原子层沉积设备的进气装置及原子层沉积设备
[P].
张璞
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机构:
宸微设备科技(苏州)有限公司
宸微设备科技(苏州)有限公司
张璞
;
刘亚男
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机构:
宸微设备科技(苏州)有限公司
宸微设备科技(苏州)有限公司
刘亚男
;
李靖
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机构:
宸微设备科技(苏州)有限公司
宸微设备科技(苏州)有限公司
李靖
.
中国专利
:CN223561687U
,2025-11-18
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