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原子层沉积装置及原子层沉积的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311755137.3
申请日：
2023-12-19
公开(公告)号：
CN120174344A
公开(公告)日：
2025-06-20
发明(设计)人：
杨士逸
申请人：
奥恒科技股份有限公司
申请人地址：
中国香港
IPC主分类号：
C23C16/455
IPC分类号：
代理机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人：
王侠
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-20 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20231219 |