学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
用于原子层沉积设备的气体调节装置及原子层沉积设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510668473.7
申请日
:
2025-05-22
公开(公告)号
:
CN120366744A
公开(公告)日
:
2025-07-25
发明(设计)人
:
李正栋
李亚涛
申请人
:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
申请人地址
:
266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401
IPC主分类号
:
C23C16/455
IPC分类号
:
C23C16/52
代理机构
:
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286
代理人
:
黄海霞
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
山东省 青岛市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-08-12
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20250522
2025-07-25
公开
公开
共 50 条
[1]
原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置
[P].
邵大立
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
邵大立
;
齐彪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
齐彪
;
马敬忠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马敬忠
.
中国专利
:CN115404463A
,2022-11-29
[2]
原子层沉积设备的进气装置及原子层沉积设备
[P].
张璞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
宸微设备科技(苏州)有限公司
宸微设备科技(苏州)有限公司
张璞
;
刘亚男
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
宸微设备科技(苏州)有限公司
宸微设备科技(苏州)有限公司
刘亚男
;
李靖
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
宸微设备科技(苏州)有限公司
宸微设备科技(苏州)有限公司
李靖
.
中国专利
:CN223561687U
,2025-11-18
[3]
原子层沉积设备的进气装置及原子层沉积设备
[P].
纪红
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
纪红
;
赵培洋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵培洋
;
赵可可
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵可可
.
中国专利
:CN113416945A
,2021-09-21
[4]
原子层沉积方法和原子层沉积设备
[P].
古尔特基·S·桑赫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
古尔特基·S·桑赫
;
特鲁格·特里·多恩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
特鲁格·特里·多恩
.
中国专利
:CN100346448C
,2005-10-26
[5]
原子层沉积设备
[P].
王祥慧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王祥慧
.
中国专利
:CN105463407A
,2016-04-06
[6]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
朱凌锋
;
陈培杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
陈培杰
;
胡汉彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
胡汉彦
;
张华敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
张华敏
;
刘海博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
刘海博
;
罗丹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
罗丹
.
中国专利
:CN221608192U
,2024-08-27
[7]
原子层沉积设备
[P].
周友华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周友华
;
庄国胜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
庄国胜
.
中国专利
:CN106978599A
,2017-07-25
[8]
原子层沉积设备
[P].
杭天华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杭天华
.
中国专利
:CN304842776S
,2018-10-09
[9]
原子层沉积设备
[P].
孙文檠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙文檠
;
钟允升
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
钟允升
;
蓝崇文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
蓝崇文
.
中国专利
:CN101736317A
,2010-06-16
[10]
原子层沉积设备
[P].
王良栋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
王良栋
;
陈金良
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陈金良
;
宋维聪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
宋维聪
;
李文涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
李文涛
.
中国专利
:CN222861631U
,2025-05-13
←
1
2
3
4
5
→