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在衬底上形成焊料合金沉积的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201180033313.1
申请日
:
2011-06-23
公开(公告)号
:
CN103026476A
公开(公告)日
:
2013-04-03
发明(设计)人
:
K-J.马特雅特
S.兰普雷希特
I.埃沃特
申请人
:
申请人地址
:
德国柏林
IPC主分类号
:
H01L2148
IPC分类号
:
H01L23498
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
蒋骏;朱海煜
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-04-12
授权
授权
2013-04-03
公开
公开
2013-07-31
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101500123601 IPC(主分类):H01L 21/48 专利申请号:2011800333131 申请日:20110623
共 50 条
[1]
在衬底上形成焊料沉积的方法
[P].
S.兰普雷希特
论文数:
0
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S.兰普雷希特
;
K-J.马特雅特
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K-J.马特雅特
;
I.埃沃特
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I.埃沃特
;
S.肯尼
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0
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S.肯尼
.
中国专利
:CN103026475A
,2013-04-03
[2]
用于在衬底上形成焊料沉积物的方法
[P].
英戈·埃韦特
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英戈·埃韦特
;
斯文·兰普雷希特
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斯文·兰普雷希特
;
凯-延斯·马特亚
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凯-延斯·马特亚
;
托马斯·普利特
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托马斯·普利特
.
中国专利
:CN102187749A
,2011-09-14
[3]
用于在衬底上形成焊料沉积和非熔融凸块结构的方法
[P].
K-J.马特雅特
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K-J.马特雅特
;
S.兰普雷希特
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S.兰普雷希特
;
I.埃沃特
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I.埃沃特
;
C.舍嫩贝格尔
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C.舍嫩贝格尔
;
J.克雷斯
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J.克雷斯
.
中国专利
:CN103053228B
,2013-04-17
[4]
用于在衬底上沉积材料层的方法以及相应形成的结构
[P].
J·安图内斯阿方索
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
J·安图内斯阿方索
;
S·瓦拉斯
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
S·瓦拉斯
;
P·查特拉因
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
P·查特拉因
;
K·A·帕特尔
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
K·A·帕特尔
;
F·达沃迪
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
F·达沃迪
.
:CN118610077A
,2024-09-06
[5]
在接触垫上形成可焊接焊料沉积物的方法
[P].
K-J·马泰加特
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K-J·马泰加特
;
S·兰普雷希特
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0
S·兰普雷希特
;
J·斯珀林
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J·斯珀林
;
C·奥德
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C·奥德
.
中国专利
:CN110115116B
,2019-08-09
[6]
在衬底上沉积层的溅射涂覆装置以及方法
[P].
詹姆士·斯科汉默
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詹姆士·斯科汉默
;
乌韦·霍夫曼
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乌韦·霍夫曼
;
卓斯·曼纽尔·迪格茨-加波
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卓斯·曼纽尔·迪格茨-加波
.
中国专利
:CN101368261A
,2009-02-18
[7]
在图形化衬底上沉积氮化铝薄膜的方法
[P].
卢建航
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
卢建航
;
曾广艺
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
曾广艺
;
王农华
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
王农华
.
中国专利
:CN119465050A
,2025-02-18
[8]
用于在印刷中在衬底上形成图像的装置和方法
[P].
布莱恩·J·洛夫
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布莱恩·J·洛夫
;
雅克·K·韦伯斯特-科里
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雅克·K·韦伯斯特-科里
;
大卫·M·汤普森
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大卫·M·汤普森
.
中国专利
:CN102398412B
,2012-04-04
[9]
用于在衬底上沉积金属膜的方法及LED器件
[P].
田立飞
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田立飞
;
夏威
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夏威
.
中国专利
:CN105331940A
,2016-02-17
[10]
用于在半导体衬底上无电镀沉积金属的装置
[P].
德米特里·鲁博弥尔斯克
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德米特里·鲁博弥尔斯克
;
阿拉库玛·山姆戈萨卓姆
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阿拉库玛·山姆戈萨卓姆
;
拉塞尔·埃利万戈尔
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拉塞尔·埃利万戈尔
;
伊恩·A·帕查姆
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伊恩·A·帕查姆
;
罗摩克里希纳·切波里
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罗摩克里希纳·切波里
;
蒂莫西·W·韦德曼
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蒂莫西·W·韦德曼
.
中国专利
:CN1981070A
,2007-06-13
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