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用于在衬底上形成焊料沉积和非熔融凸块结构的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201180038004.3
申请日
:
2011-07-29
公开(公告)号
:
CN103053228B
公开(公告)日
:
2013-04-17
发明(设计)人
:
K-J.马特雅特
S.兰普雷希特
I.埃沃特
C.舍嫩贝格尔
J.克雷斯
申请人
:
申请人地址
:
德国柏林
IPC主分类号
:
H05K324
IPC分类号
:
H05K334
H05K340
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
马永利;朱海煜
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-04-17
公开
公开
2013-08-28
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101513121863 IPC(主分类):H05K 3/24 专利申请号:2011800380043 申请日:20110729
2016-10-05
授权
授权
共 50 条
[1]
在衬底上形成焊料沉积的方法
[P].
S.兰普雷希特
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S.兰普雷希特
;
K-J.马特雅特
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K-J.马特雅特
;
I.埃沃特
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I.埃沃特
;
S.肯尼
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S.肯尼
.
中国专利
:CN103026475A
,2013-04-03
[2]
在衬底上形成焊料合金沉积的方法
[P].
K-J.马特雅特
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K-J.马特雅特
;
S.兰普雷希特
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S.兰普雷希特
;
I.埃沃特
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I.埃沃特
.
中国专利
:CN103026476A
,2013-04-03
[3]
用于在衬底上形成焊料沉积物的方法
[P].
英戈·埃韦特
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英戈·埃韦特
;
斯文·兰普雷希特
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斯文·兰普雷希特
;
凯-延斯·马特亚
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凯-延斯·马特亚
;
托马斯·普利特
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托马斯·普利特
.
中国专利
:CN102187749A
,2011-09-14
[4]
用于在衬底上沉积材料层的方法以及相应形成的结构
[P].
J·安图内斯阿方索
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
J·安图内斯阿方索
;
S·瓦拉斯
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
S·瓦拉斯
;
P·查特拉因
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ASMIP私人控股有限公司
P·查特拉因
;
K·A·帕特尔
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
K·A·帕特尔
;
F·达沃迪
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
F·达沃迪
.
:CN118610077A
,2024-09-06
[5]
用于在印刷中在衬底上形成图像的装置和方法
[P].
布莱恩·J·洛夫
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布莱恩·J·洛夫
;
雅克·K·韦伯斯特-科里
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雅克·K·韦伯斯特-科里
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大卫·M·汤普森
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大卫·M·汤普森
.
中国专利
:CN102398412B
,2012-04-04
[6]
用于热处理衬底上形成的结构的方法和装置
[P].
A·马耀
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A·马耀
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M·杨
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M·杨
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A·巴拉克里希纳
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A·巴拉克里希纳
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P·凯里
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P·凯里
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D·詹宁斯
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D·詹宁斯
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S·莫法特
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S·莫法特
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W·谢弗
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W·谢弗
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A·N·雷纳
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A·N·雷纳
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T·N·托马斯
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T·N·托马斯
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A·M·亨特
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A·M·亨特
.
中国专利
:CN101395712B
,2009-03-25
[7]
用于热处理衬底上形成的结构的方法和装置
[P].
A·马耀
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A·马耀
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M·杨
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M·杨
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A·巴拉克里希纳
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A·巴拉克里希纳
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P·凯里
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P·凯里
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D·詹宁斯
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D·詹宁斯
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S·莫法特
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S·莫法特
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W·谢弗
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W·谢弗
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A·N·雷纳
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A·N·雷纳
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T·N·托马斯
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T·N·托马斯
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A·M·亨特
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A·M·亨特
.
中国专利
:CN103295896B
,2013-09-11
[8]
用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
[P].
刘泽铖
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刘泽铖
;
V.波雷
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V.波雷
.
中国专利
:CN111593319A
,2020-08-28
[9]
用于在衬底上沉积金属膜的方法及LED器件
[P].
田立飞
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田立飞
;
夏威
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夏威
.
中国专利
:CN105331940A
,2016-02-17
[10]
用于在半导体衬底上无电镀沉积金属的装置
[P].
德米特里·鲁博弥尔斯克
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德米特里·鲁博弥尔斯克
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阿拉库玛·山姆戈萨卓姆
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阿拉库玛·山姆戈萨卓姆
;
拉塞尔·埃利万戈尔
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拉塞尔·埃利万戈尔
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伊恩·A·帕查姆
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伊恩·A·帕查姆
;
罗摩克里希纳·切波里
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罗摩克里希纳·切波里
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蒂莫西·W·韦德曼
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蒂莫西·W·韦德曼
.
中国专利
:CN1981070A
,2007-06-13
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