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用于在衬底上形成掺杂高k层的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510877402.8
申请日：
2025-06-27
公开(公告)号：
CN121240467A
公开(公告)日：
2025-12-30
发明(设计)人：
R·A·约翰 汤福 E·J·希罗
申请人：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址：
荷兰阿尔梅勒
IPC主分类号：
H10D1/68
IPC分类号：
H01L21/02 C23C16/40 C23C16/455 C23C16/52 C23C16/56
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
王冉
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-30 公开 公开
共 50 条
[1]
在衬底上形成掺杂的铪锆氧化物层的方法 [P]. 
A·莱昂哈特 ;
M·苏尔曼 ;
R·A·约翰 ;
汤福 ;
A·伊利贝里 ;
V·K·穆瑟里 ;
L·卢科塞 ;
V·沙尔玛 ;
J·A·西马达达西尔瓦 .
:CN119730718A ,2025-03-28
[2]
在平滑衬底上形成高-K介电层 [P]. 
贾斯廷·布拉斯克 ;
杰克·卡瓦列罗斯 ;
马克·多齐 ;
马修·梅茨 ;
苏曼·达塔 ;
乌代·沙阿 ;
吉尔伯特·杜威 ;
罗伯特·赵 .
中国专利 :CN100582296C ,2007-05-09
[3]
用于在衬底上沉积材料层的方法以及相应形成的结构 [P]. 
J·安图内斯阿方索 ;
S·瓦拉斯 ;
P·查特拉因 ;
K·A·帕特尔 ;
F·达沃迪 .
:CN118610077A ,2024-09-06
[4]
原子层沉积方法及用于在衬底上沉积层的相关方法 [P]. 
J·L·温克勒 .
:CN120830091A ,2025-10-24
[5]
用于在一个衬底上形成不同厚度的双栅极氧化层的方法 [P]. 
J·卢策 ;
E·德穆伊宗 .
中国专利 :CN1342329A ,2002-03-27
[6]
在基片上形成多掺杂结的方法 [P]. 
苏尼尔·沙阿 ;
马尔科姆·阿博特 .
中国专利 :CN102246275A ,2011-11-16
[7]
掺杂薄膜层在衬底上的连续沉积的气相沉积装置和方法 [P]. 
S·D·费尔德曼-皮博迪 ;
M·J·帕沃尔 .
中国专利 :CN102534509B ,2012-07-04
[8]
形成于重掺杂衬底上的电容器 [P]. 
G·迪克斯 ;
R·L·叶奇 ;
F·马齐利 .
中国专利 :CN108352377A ,2018-07-31
[9]
用于热处理衬底上形成的结构的方法和装置 [P]. 
A·马耀 ;
M·杨 ;
A·巴拉克里希纳 ;
P·凯里 ;
D·詹宁斯 ;
S·莫法特 ;
W·谢弗 ;
A·N·雷纳 ;
T·N·托马斯 ;
A·M·亨特 .
中国专利 :CN101395712B ,2009-03-25
[10]
用于热处理衬底上形成的结构的方法和装置 [P]. 
A·马耀 ;
M·杨 ;
A·巴拉克里希纳 ;
P·凯里 ;
D·詹宁斯 ;
S·莫法特 ;
W·谢弗 ;
A·N·雷纳 ;
T·N·托马斯 ;
A·M·亨特 .
中国专利 :CN103295896B ,2013-09-11
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