形成于重掺杂衬底上的电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680064173.7

申请日：

2016-12-07

公开(公告)号：

CN108352377A

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

G·迪克斯 R·L·叶奇 F·马齐利

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L2300 H01L4902

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

沈锦华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20161207
2018-07-31	公开	公开

共 50 条

[1]

形成在半导电衬底上的垂直电容器 [P].

大卫·M·史密斯 .

中国专利 :CN103053009A ,2013-04-17

[2]

形成电容器的方法 [P].

瓦西尔·安东诺夫 ;

维什瓦纳特·巴特 .

中国专利 :CN102473681B ,2012-05-23

[3]

玻璃衬底上的PLZT电容器 [P].

M·R·费尔查德 ;

R·S·泰勒 ;

C·W·贝尔林 ;

C·W·王 ;

B·马 ;

U·巴拉钱德拉 .

中国专利 :CN104576046A ,2015-04-29

[4]

电容器及形成电容器的方法 [P].

瓦西尔·安东诺夫 ;

维什瓦纳特·巴特 ;

克里斯·卡尔森 .

中国专利 :CN102449712A ,2012-05-09

[5]

形成在半导体衬底上的精密高频电容器 [P].

海姆·戈德伯格 ;

西克·卢伊 ;

杰西克·科雷克 ;

Y·默罕穆德·卡塞姆 ;

哈利安托·王 ;

杰克·范登霍伊维尔 .

中国专利 :CN1182566C ,2002-04-24

[6]

形成于互连层中的电容器 [P].

A·H·佩雷拉 ;

V·T·丁恩 ;

M·D·霍尔 ;

K·H·容克 .

美国专利 :CN120709254A ,2025-09-26

[7]

形成电容器的方法 [P].

林凯鸿 ;

杨峻华 .

中国专利 :CN119890197A ,2025-04-25

[8]

形成电容器及其介质层的方法及其形成的电容器 [P].

崔在亨 ;

郑正喜 ;

金晟泰 ;

柳次英 ;

金基哲 ;

吴世勋 ;

崔正植 .

中国专利 :CN102082079A ,2011-06-01

[9]

电容器衬底（系列） [P].

卢敏仪 ;

谢茁壮 ;

雷作双 ;

雷仕焱 ;

赵阳 .

中国专利 :CN308822735S ,2024-09-06

[10]

电容器以及形成电容器的方法 [P].

安东尼·P·查科 .

中国专利 :CN107103997B ,2017-08-29

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