玻璃衬底上的PLZT电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410587179.5

申请日：

2014-10-28

公开(公告)号：

CN104576046A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

M·R·费尔查德 R·S·泰勒 C·W·贝尔林 C·W·王 B·马 U·巴拉钱德拉

申请人：

申请人地址：

美国密歇根州

IPC主分类号：

H01G412

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

毛力

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101678899874 IPC(主分类):H01G 4/12 专利申请号:2014105871795 申请日:20141028
2018-07-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01G 4/12 申请公布日:20150429
2015-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

电容器衬底（系列） [P].

卢敏仪 ;

谢茁壮 ;

雷作双 ;

雷仕焱 ;

赵阳 .

中国专利 :CN308822735S ,2024-09-06

[2]

形成于重掺杂衬底上的电容器 [P].

G·迪克斯 ;

R·L·叶奇 ;

F·马齐利 .

中国专利 :CN108352377A ,2018-07-31

[3]

增加电介质常数的PLZT电容器和方法 [P].

R·S·泰勒 ;

M·R·费尔柴尔德 ;

U·巴拉钱德拉 ;

T·H·李 .

中国专利 :CN107369555B ,2017-11-21

[4]

形成在半导电衬底上的垂直电容器 [P].

大卫·M·史密斯 .

中国专利 :CN103053009A ,2013-04-17

[5]

在半导体衬底上制造电容器的方法 [P].

高桥实且 .

中国专利 :CN1079993C ,1997-10-08

[6]

电容器上盖 [P].

林锡洪 .

中国专利 :CN301336712S ,2010-09-01

[7]

电容器上盖 [P].

尤枝辉 .

中国专利 :CN302948970S ,2014-09-24

[8]

电容器上盖 [P].

陈文军 .

中国专利 :CN301438177S ,2011-01-12

[9]

形成在半导体衬底上的精密高频电容器 [P].

海姆·戈德伯格 ;

西克·卢伊 ;

杰西克·科雷克 ;

Y·默罕穆德·卡塞姆 ;

哈利安托·王 ;

杰克·范登霍伊维尔 .

中国专利 :CN1182566C ,2002-04-24

[10]

电容器上的防爆板 [P].

方诗虹 ;

洪术茂 ;

李志萍 .

中国专利 :CN203839196U ,2014-09-17

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