形成在半导体衬底上的精密高频电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01135579.4

申请日：

2001-09-14

公开(公告)号：

CN1182566C

公开(公告)日：

2002-04-24

发明(设计)人：

海姆·戈德伯格西克·卢伊杰西克·科雷克 Y·默罕穆德·卡塞姆哈利安托·王杰克·范登霍伊维尔

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2702 H01L2706 H01L2708 H01L2360 H01G400

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

黄敏;吕晓章

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-04-24	公开	公开
2004-12-29	授权	授权
2016-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101687185890 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL011355794 申请日:20010914 授权公告日:20041229 终止日期:20150914

共 50 条

[1]

在半导体衬底上制造电容器的方法 [P].

高桥实且 .

中国专利 :CN1079993C ,1997-10-08

[2]

形成在半导电衬底上的垂直电容器 [P].

大卫·M·史密斯 .

中国专利 :CN103053009A ,2013-04-17

[3]

半导体电容器的形成方法 [P].

高超 .

中国专利 :CN102723262A ,2012-10-10

[4]

半导体电容器的形成方法 [P].

高超 ;

吴小利 .

中国专利 :CN102723261B ,2012-10-10

[5]

半导体电容器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208298827U ,2018-12-28

[6]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1716534A ,2006-01-04

[7]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1722384A ,2006-01-18

[8]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[9]

电容器的形成方法、电容器及半导体器件 [P].

邵光速 ;

郁梦康 ;

苏星松 .

中国专利 :CN116133387B ,2025-11-21

[10]

半导体电容器 [P].

吴秉桓 .

中国专利 :CN208954983U ,2019-06-07

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