半导体电容器的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210214977.4

申请日：

2012-06-26

公开(公告)号：

CN102723261B

公开(公告)日：

2012-10-10

发明(设计)人：

高超吴小利

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21334

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-10	公开	公开
2016-06-08	授权	授权
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584057998 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012102149774 申请日:20120626
2014-05-07	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700636255 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012102149774 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140411

共 50 条

[1]

半导体电容器的形成方法 [P].

高超 .

中国专利 :CN102723262A ,2012-10-10

[2]

半导体电容器结构及其形成方法 [P].

江红 ;

孔蔚然 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN102214702B ,2011-10-12

[3]

电容器、半导体器件及其形成方法 [P].

陈轶群 ;

蒲贤勇 ;

陈宗高 ;

王刚宁 ;

王海强 .

中国专利 :CN104701136A ,2015-06-10

[4]

半导体电容器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208298827U ,2018-12-28

[5]

电容器的形成方法、电容器及半导体器件 [P].

邵光速 ;

郁梦康 ;

苏星松 .

中国专利 :CN116133387B ,2025-11-21

[6]

半导体存储元件的电容器的形成方法 [P].

李起正 ;

朱光喆 .

中国专利 :CN1279510A ,2001-01-10

[7]

半导体电容器结构及其制造方法 [P].

江红 .

中国专利 :CN102945849A ,2013-02-27

[8]

半导体器件中电容器的形成方法 [P].

朴炳俊 .

中国专利 :CN1467826A ,2004-01-14

[9]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

金奎显 ;

尹孝根 ;

崔根敏 .

中国专利 :CN1667796A ,2005-09-14

[10]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1716534A ,2006-01-04

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