半导体电容器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820608415.0

申请日：

2018-04-26

公开(公告)号：

CN208298827U

公开(公告)日：

2018-12-28

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海市锦天城律师事务所 31273

代理人：

何金花

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20180426 授权公告日:20181228 终止日期:20190426
2018-12-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体电容器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208690259U ,2019-04-02

[2]

半导体电容器 [P].

吴秉桓 .

中国专利 :CN208954983U ,2019-06-07

[3]

半导体电容器 [P].

早见泰明 ;

林哲也 ;

图子祐辅 ;

倪威 ;

大久保明范 .

中国专利 :CN109564894B ,2019-04-02

[4]

半导体电容器 [P].

P·J·霍波 ;

W·弗兰茨 .

中国专利 :CN103189982A ,2013-07-03

[5]

半导体电容器的形成方法 [P].

高超 .

中国专利 :CN102723262A ,2012-10-10

[6]

半导体电容器的形成方法 [P].

高超 ;

吴小利 .

中国专利 :CN102723261B ,2012-10-10

[7]

半导体电容器结构及其制造方法 [P].

江红 .

中国专利 :CN102945849A ,2013-02-27

[8]

一种半导体电容器 [P].

杨正铭 .

中国专利 :CN211980430U ,2020-11-20

[9]

一种半导体电容器 [P].

黄辉成 .

中国专利 :CN210535511U ,2020-05-15

[10]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

← 1 2 3 4 5 →