半导体器件中电容器的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03110474.6

申请日：

2003-04-16

公开(公告)号：

CN1467826A

公开(公告)日：

2004-01-14

发明(设计)人：

朴炳俊

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

H01L2182 H01L2131 H01L2128

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-01-14	公开	公开
2007-01-03	授权	授权
2011-06-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101081288625 IPC(主分类):H01L 21/8242 专利号:ZL031104746 申请日:20030416 授权公告日:20070103 终止日期:20100416
2004-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

电容器、半导体器件及其形成方法 [P].

陈轶群 ;

蒲贤勇 ;

陈宗高 ;

王刚宁 ;

王海强 .

中国专利 :CN104701136A ,2015-06-10

[2]

用于形成半导体器件电容器的方法 [P].

尹东洙 .

中国专利 :CN1427464A ,2003-07-02

[3]

电容器的形成方法、电容器及半导体器件 [P].

邵光速 ;

郁梦康 ;

苏星松 .

中国专利 :CN116133387B ,2025-11-21

[4]

半导体器件的电容器的形成方法 [P].

林灿 .

中国专利 :CN1203440A ,1998-12-30

[5]

电容器及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107564892A ,2018-01-09

[6]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

金奎显 ;

尹孝根 ;

崔根敏 .

中国专利 :CN1667796A ,2005-09-14

[7]

半导体器件中的电容器结构及其形成方法 [P].

佐甲隆 .

中国专利 :CN1235378A ,1999-11-17

[8]

半导体器件及电容器的形成方法 [P].

王晓玲 ;

洪海涵 ;

张民慧 .

中国专利 :CN113964128A ,2022-01-21

[9]

电容器的形成方法及半导体器件 [P].

杨蒙蒙 ;

王晓玲 .

中国专利 :CN113594366B ,2024-02-09

[10]

半导体器件的电容器及其形成方法 [P].

金荣宽 ;

朴仁善 ;

李相旼 ;

朴昌洙 .

中国专利 :CN1222765A ,1999-07-14

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