半导体器件的电容器及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98115946.X

申请日：

1998-07-10

公开(公告)号：

CN1222765A

公开(公告)日：

1999-07-14

发明(设计)人：

金荣宽朴仁善李相旼朴昌洙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L2182 H01G412

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-07-14	公开	公开
2018-08-03	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 27/10 申请日:19980710 授权公告日:20041006
2001-03-21	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-10-06	授权	授权

共 50 条

[1]

电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P].

吴双双 .

中国专利 :CN110970460A ,2020-04-07

[2]

电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P].

吴双双 .

中国专利 :CN110970460B ,2024-07-19

[3]

电容器、半导体器件及其形成方法 [P].

陈轶群 ;

蒲贤勇 ;

陈宗高 ;

王刚宁 ;

王海强 .

中国专利 :CN104701136A ,2015-06-10

[4]

电容器及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107564892A ,2018-01-09

[5]

电容器及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110957303A ,2020-04-03

[6]

电容器及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110957317A ,2020-04-03

[7]

电容器的形成方法、电容器及半导体器件 [P].

邵光速 ;

郁梦康 ;

苏星松 .

中国专利 :CN116133387B ,2025-11-21

[8]

电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107706206A ,2018-02-16

[9]

电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P].

吴双双 .

中国专利 :CN108550568B ,2018-09-18

[10]

电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107731794A ,2018-02-23

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