电容器阵列及其形成方法、半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811149809.5
申请日
2018-09-29
公开(公告)号
CN110970460A
公开(公告)日
2020-04-07
发明(设计)人
吴双双
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L2724
IPC分类号
H01L27108
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
智云
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P]. 
吴双双 .
中国专利 :CN110970460B ,2024-07-19
[2]
电容器阵列及半导体器件 [P]. 
吴双双 .
中国专利 :CN208819882U ,2019-05-03
[3]
电容器阵列结构及其形成方法、半导体器件 [P]. 
陈文丽 .
中国专利 :CN110970403B ,2025-01-14
[4]
电容器阵列结构及其形成方法、半导体器件 [P]. 
陈文丽 .
中国专利 :CN110970403A ,2020-04-07
[5]
电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107706206A ,2018-02-16
[6]
电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P]. 
吴双双 .
中国专利 :CN108550568B ,2018-09-18
[7]
电容器及其形成方法、半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107564892A ,2018-01-09
[8]
电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107731794A ,2018-02-23
[9]
半导体器件的电容器及其形成方法 [P]. 
金荣宽 ;
朴仁善 ;
李相旼 ;
朴昌洙 .
中国专利 :CN1222765A ,1999-07-14
[10]
电容器、半导体器件及其形成方法 [P]. 
陈轶群 ;
蒲贤勇 ;
陈宗高 ;
王刚宁 ;
王海强 .
中国专利 :CN104701136A ,2015-06-10