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电容器阵列及其形成方法、半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811149809.5
申请日
:
2018-09-29
公开(公告)号
:
CN110970460A
公开(公告)日
:
2020-04-07
发明(设计)人
:
吴双双
申请人
:
申请人地址
:
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
:
H01L2724
IPC分类号
:
H01L27108
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
智云
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-05-01
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/24 申请日:20180929
2020-04-07
公开
公开
共 50 条
[1]
电容器阵列及其形成方法、半导体器件
[P].
吴双双
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
吴双双
.
中国专利
:CN110970460B
,2024-07-19
[2]
电容器阵列及半导体器件
[P].
吴双双
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴双双
.
中国专利
:CN208819882U
,2019-05-03
[3]
电容器阵列结构及其形成方法、半导体器件
[P].
陈文丽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
陈文丽
.
中国专利
:CN110970403B
,2025-01-14
[4]
电容器阵列结构及其形成方法、半导体器件
[P].
陈文丽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈文丽
.
中国专利
:CN110970403A
,2020-04-07
[5]
电容器阵列及其形成方法、半导体器件
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN107706206A
,2018-02-16
[6]
电容器阵列及其形成方法、半导体器件
[P].
吴双双
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴双双
.
中国专利
:CN108550568B
,2018-09-18
[7]
电容器及其形成方法、半导体器件
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN107564892A
,2018-01-09
[8]
电容器阵列及其形成方法、半导体器件
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN107731794A
,2018-02-23
[9]
半导体器件的电容器及其形成方法
[P].
金荣宽
论文数:
0
引用数:
0
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0
金荣宽
;
朴仁善
论文数:
0
引用数:
0
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朴仁善
;
李相旼
论文数:
0
引用数:
0
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0
李相旼
;
朴昌洙
论文数:
0
引用数:
0
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0
朴昌洙
.
中国专利
:CN1222765A
,1999-07-14
[10]
电容器、半导体器件及其形成方法
[P].
陈轶群
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈轶群
;
蒲贤勇
论文数:
0
引用数:
0
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0
蒲贤勇
;
陈宗高
论文数:
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陈宗高
;
王刚宁
论文数:
0
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0
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王刚宁
;
王海强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王海强
.
中国专利
:CN104701136A
,2015-06-10
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