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电容器阵列及其形成方法、半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810387467.4
申请日：
2018-04-26
公开(公告)号：
CN108550568B
公开(公告)日：
2018-09-18
发明(设计)人：
吴双双
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L2364
IPC分类号：
H01L27108
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
智云
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-04-10 | 授权 | 授权 |
| 2018-09-18 | 公开 | 公开 |
| 2021-02-26 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/64 变更事项:专利权人 变更前:长鑫存储技术有限公司 变更后:长鑫存储技术有限公司 变更事项:地址 变更前:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 变更后:230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号 |
| 2018-10-19 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 23/64 登记生效日:20180927 变更事项:申请人 变更前权利人:睿力集成电路有限公司 变更后权利人:长鑫存储技术有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室 变更后权利人:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 |
| 2018-10-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/64 申请日:20180426 |