电容器及其形成方法、半导体器件及其形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN201811120453.2
申请日
2018-09-26
公开(公告)号
CN110957317A
公开(公告)日
2020-04-03
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
智云
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
电容器及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110957303A ,2020-04-03
[2]
电容器、半导体器件及其形成方法 [P]. 
陈轶群 ;
蒲贤勇 ;
陈宗高 ;
王刚宁 ;
王海强 .
中国专利 :CN104701136A ,2015-06-10
[3]
电容器及其形成方法、半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107564892A ,2018-01-09
[4]
电容器件及其形成方法 [P]. 
胡连峰 .
中国专利 :CN111952287A ,2020-11-17
[5]
电容器件及其形成方法 [P]. 
胡连峰 ;
胡友存 ;
杨明 ;
卑多慧 ;
倪百兵 .
中国专利 :CN110970557A ,2020-04-07
[6]
电容器件及其形成方法 [P]. 
胡连峰 .
中国专利 :CN111952287B ,2024-10-22
[7]
半导体存储器件及其电容器的形成方法 [P]. 
朴钟范 .
中国专利 :CN101587891A ,2009-11-25
[8]
电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P]. 
吴双双 .
中国专利 :CN108550568B ,2018-09-18
[9]
电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107706206A ,2018-02-16
[10]
电容器阵列及其形成方法、半导体器件 [P]. 
吴双双 .
中国专利 :CN110970460A ,2020-04-07