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半导体器件中的电容器结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN99106381.3
申请日：
1999-05-07
公开(公告)号：
CN1235378A
公开(公告)日：
1999-11-17
发明(设计)人：
佐甲隆
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
H01L218242
H01L2128
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人：
穆德骏;余朦
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 1999-11-17 | 公开 | 公开 |
| 1999-10-13 | 实质审查请求的生效 | 实质审查请求的生效 |
| 2003-12-10 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 |
| 2003-05-28 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更事项:申请人 变更前权利人:日本电气株式会社 变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京 变更后权利人:日本神奈川 登记生效日:20030403 |