用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210991402.7

申请日：

2018-08-24

公开(公告)号：

CN115613010B

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

法亚兹·谢赫尼克·林佰格柯蒂斯·贝利

申请人：

朗姆研究公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C16/505

IPC分类号：

C23C16/52 H01L21/67

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;张华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-12	授权	授权

共 50 条

[1]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

美国专利 :CN119615129A ,2025-03-14

[2]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

中国专利 :CN115613010A ,2023-01-17

[3]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

中国专利 :CN111094620B ,2020-05-01

[4]

PECVD沉积系统 [P].

范继良 .

中国专利 :CN217026077U ,2022-07-22

[5]

在衬底上沉积材料的方法 [P].

吹上纪明 ;

凯瑟琳娜·巴比彻 .

中国专利 :CN100490069C ,2006-11-22

[6]

用于在基板上沉积材料的材料沉积系统 [P].

丹尼斯·G.·道尔 ;

托马斯·C.·普伦蒂斯 ;

帕特希·A.·马特奥 ;

大卫·P.·普林斯 .

中国专利 :CN104080948A ,2014-10-01

[7]

微沉积系统以及在衬底上沉积精确量的流体材料的方法 [P].

查尔斯·O·爱德华兹 ;

戴维·阿尔伯塔利 ;

霍华德·W·比利奇 ;

詹姆斯·米德利滕 .

中国专利 :CN1280025C ,2004-10-06

[8]

材料沉积系统和用于在材料沉积系统中沉积材料的方法 [P].

乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 ;

斯蒂芬·班格特 ;

奥利弗·海默尔 ;

迪特尔·哈斯 .

中国专利 :CN107002223B ,2017-08-01

[9]

在衬底上沉积微晶硅的方法 [P].

A.戈迪恩 ;

T.基尔珀 ;

B.雷赫 ;

S.席科 .

中国专利 :CN102257630A ,2011-11-23

[10]

衬底上的PECVD沉积的SiN晶片弯曲度补偿层 [P].

G·安东尼乌 ;

K·克鲁克 .

英国专利 :CN119433491A ,2025-02-14

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