衬底上的PECVD沉积的SiN晶片弯曲度补偿层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410320295.4

申请日：

2024-03-20

公开(公告)号：

CN119433491A

公开(公告)日：

2025-02-14

发明(设计)人：

G·安东尼乌 K·克鲁克

申请人：

SPTS科技有限公司

申请人地址：

英国新港

IPC主分类号：

C23C16/34

IPC分类号：

C23C16/50 C23C16/458 H01L21/02 H01L21/67

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

章蕾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

在衬底上沉积材料的方法 [P].

吹上纪明 ;

凯瑟琳娜·巴比彻 .

中国专利 :CN100490069C ,2006-11-22

[2]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

美国专利 :CN119615129A ,2025-03-14

[3]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

美国专利 :CN115613010B ,2024-11-12

[4]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

中国专利 :CN115613010A ,2023-01-17

[5]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

中国专利 :CN111094620B ,2020-05-01

[6]

沉积SiN膜的方法 [P].

马克·卡拉瑟斯 .

中国专利 :CN110408909A ,2019-11-05

[7]

用于在衬底上沉积材料层的方法以及相应形成的结构 [P].

J·安图内斯阿方索 ;

S·瓦拉斯 ;

P·查特拉因 ;

K·A·帕特尔 ;

F·达沃迪 .

:CN118610077A ,2024-09-06

[8]

半导体衬底上二氧化硅介质层的形成方法 [P].

钟飞 ;

王科 ;

韩晓刚 ;

陈建维 ;

倪立华 .

中国专利 :CN105185693A ,2015-12-23

[9]

使用PECVD沉积保形和低湿蚀刻速率的封装层的方法 [P].

阿希尔·辛格哈尔 ;

魏鸿吉 ;

毛伊莎 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 .

中国专利 :CN107393809A ,2017-11-24

[10]

消除PECVD膜的第一晶片效应 [P].

安纳马莱·拉克师马纳 ;

干纳施·巴拉苏布拉马尼恩 ;

福兰斯马尔·斯楚弥特 ;

金博宏 .

中国专利 :CN101092691B ,2007-12-26

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