微沉积系统以及在衬底上沉积精确量的流体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02814823.1

申请日：

2002-05-31

公开(公告)号：

CN1280025C

公开(公告)日：

2004-10-06

发明(设计)人：

查尔斯·O·爱德华兹戴维·阿尔伯塔利霍华德·W·比利奇詹姆斯·米德利滕

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

B05C1110

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-18	授权	授权
2022-05-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B05C 11/10 申请日:20020531 授权公告日:20061018 终止日期:20210531
2004-10-06	公开	公开
2004-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-17	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:利特斯公司变更后权利人:株式会社爱发科变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚变更后:日本神奈川登记生效日:20081114

共 50 条

[1]

用于在基板上沉积材料的材料沉积系统 [P].

丹尼斯·G.·道尔 ;

托马斯·C.·普伦蒂斯 ;

帕特希·A.·马特奥 ;

大卫·P.·普林斯 .

中国专利 :CN104080948A ,2014-10-01

[2]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

美国专利 :CN119615129A ,2025-03-14

[3]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

美国专利 :CN115613010B ,2024-11-12

[4]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

中国专利 :CN115613010A ,2023-01-17

[5]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

中国专利 :CN111094620B ,2020-05-01

[6]

材料沉积系统和用于在材料沉积系统中沉积材料的方法 [P].

乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 ;

斯蒂芬·班格特 ;

奥利弗·海默尔 ;

迪特尔·哈斯 .

中国专利 :CN107002223B ,2017-08-01

[7]

沉积系统及衬底处理室中将材料从靶沉积到衬底上的方法 [P].

郑文豪 ;

朱玄之 ;

陈彦羽 .

中国专利 :CN115305451A ,2022-11-08

[8]

沉积系统及衬底处理室中将材料从靶沉积到衬底上的方法 [P].

郑文豪 ;

朱玄之 ;

陈彦羽 .

中国专利 :CN115305451B ,2024-04-30

[9]

沉积系统以及用于测量沉积系统的沉积厚度的方法 [P].

黄珉婷 ;

李星昊 .

中国专利 :CN1824829A ,2006-08-30

[10]

用于将材料沉积于基板上的材料沉积系统和方法 [P].

肯尼斯·C.·克劳奇 ;

罗伯特·W.·特蕾西 ;

托马斯·J.·卡林斯基 ;

斯科特·A.·里德 .

中国专利 :CN104395085A ,2015-03-04

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