沉积系统及衬底处理室中将材料从靶沉积到衬底上的方法

被引：0

申请号：

CN202210059810.9

申请日：

2022-01-19

公开(公告)号：

CN115305451A

公开(公告)日：

2022-11-08

发明(设计)人：

郑文豪朱玄之陈彦羽

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1454 C23C1456

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

顾伯兴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20220119
2022-11-08	公开	公开

共 41 条

[1]

沉积系统及衬底处理室中将材料从靶沉积到衬底上的方法 [P].

郑文豪 ;

朱玄之 ;

陈彦羽 .

中国专利 :CN115305451B ,2024-04-30

[2]

用于将材料沉积于基板上的材料沉积系统和方法 [P].

肯尼斯·C.·克劳奇 ;

罗伯特·W.·特蕾西 ;

托马斯·J.·卡林斯基 ;

斯科特·A.·里德 .

中国专利 :CN104395085A ,2015-03-04

[3]

微沉积系统以及在衬底上沉积精确量的流体材料的方法 [P].

查尔斯·O·爱德华兹 ;

戴维·阿尔伯塔利 ;

霍华德·W·比利奇 ;

詹姆斯·米德利滕 .

中国专利 :CN1280025C ,2004-10-06

[4]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

美国专利 :CN119615129A ,2025-03-14

[5]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

美国专利 :CN115613010B ,2024-11-12

[6]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

中国专利 :CN115613010A ,2023-01-17

[7]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

中国专利 :CN111094620B ,2020-05-01

[8]

用于将金属无电镀沉积到半导体衬底上的装置 [P].

德米特里·鲁博弥尔斯克 ;

阿拉库玛·山姆戈萨卓姆 ;

伊恩·A·帕查姆 .

中国专利 :CN1900358A ,2007-01-24

[9]

用于将材料沉积于基板上的方法 [P].

丹尼斯·G.·道尔 ;

托马斯·C.·普伦蒂斯 ;

帕特希·A.·马特奥 ;

大卫·P.·普林斯 .

中国专利 :CN104094392A ,2014-10-08

[10]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

渡桥由悟 ;

女川靖浩 ;

村上孝太郎 ;

芳贺健佑 .

日本专利 :CN113994457B ,2025-04-08

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