用于将金属无电镀沉积到半导体衬底上的装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610098561.5

申请日：

2006-07-06

公开(公告)号：

CN1900358A

公开(公告)日：

2007-01-24

发明(设计)人：

德米特里·鲁博弥尔斯克阿拉库玛·山姆戈萨卓姆伊恩·A·帕查姆

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1816

IPC分类号：

H01L2102 H01L2167

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

赵飞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-01-24	公开	公开
2009-04-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

用于在半导体衬底上无电镀沉积金属的装置 [P].

德米特里·鲁博弥尔斯克 ;

阿拉库玛·山姆戈萨卓姆 ;

拉塞尔·埃利万戈尔 ;

伊恩·A·帕查姆 ;

罗摩克里希纳·切波里 ;

蒂莫西·W·韦德曼 .

中国专利 :CN1981070A ,2007-06-13

[2]

将层沉积到衬底上的方法和半导体处理设备 [P].

R·H·J·沃乌尔特 .

:CN119307894A ,2025-01-14

[3]

用于将金属层沉积到半导体部件上的方法和设备 [P].

W·M·舒尔茨 ;

M·施庞 .

中国专利 :CN104979182B ,2015-10-14

[4]

用于将半导体衬底键合到金属衬底的方法 [P].

王琦 ;

H·耶尔马兹 ;

励敏华 ;

C-L·吴 .

中国专利 :CN101432846B ,2009-05-13

[5]

用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备 [P].

D·L·雷维尔 ;

S·P·张 ;

B·S·库克 ;

S·R·萨默菲尔德 .

中国专利 :CN114787965A ,2022-07-22

[6]

用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备 [P].

D·L·雷维尔 ;

S·P·张 ;

B·S·库克 ;

S·R·萨默菲尔德 .

美国专利 :CN114787965B ,2025-08-22

[7]

用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备 [P].

D·L·雷维尔 ;

S·P·张 ;

B·S·库克 ;

S·R·萨默菲尔德 .

美国专利 :CN120824196A ,2025-10-21

[8]

预防半导体衬底处理中基座上的沉积 [P].

维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 ;

拉维·韦兰基 ;

盖瑞·B·利德 ;

迈克尔·拉莫 ;

曼朱纳斯·萨蒂亚德万 .

美国专利 :CN120497160A ,2025-08-15

[9]

预防半导体衬底处理中基座上的沉积 [P].

维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 ;

拉维·韦兰基 ;

盖瑞·B·利德 ;

迈克尔·拉莫 ;

曼朱纳斯·萨蒂亚德万 .

中国专利 :CN112534558A ,2021-03-19

[10]

预防半导体衬底处理中基座上的沉积 [P].

维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 ;

拉维·韦兰基 ;

盖瑞·B·利德 ;

迈克尔·拉莫 ;

曼朱纳斯·萨蒂亚德万 .

美国专利 :CN112534558B ,2025-04-18

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