半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980097563.8

申请日：

2019-09-27

公开(公告)号：

CN113994457B

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

渡桥由悟女川靖浩村上孝太郎芳贺健佑

申请人：

株式会社国际电气

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

牛蔚然

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	授权	授权

共 50 条

[1]

衬底处理方法、衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 [P].

奥野正久 ;

角田彻 ;

立野秀人 ;

定田拓也 ;

黑川正路 .

中国专利 :CN105518835A ,2016-04-20

[2]

衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置 [P].

花岛建夫 ;

中岛智志 .

日本专利 :CN119230395A ,2024-12-31

[3]

衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

栗林幸永 ;

山本薰 .

日本专利 :CN117758231A ,2024-03-26

[4]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

中谷公彦 ;

桥本良知 .

中国专利 :CN114203522A ,2022-03-18

[5]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

中谷公彦 ;

桥本良知 .

日本专利 :CN114203522B ,2025-06-13

[6]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

今村友纪 ;

野田孝晓 ;

奥田和幸 ;

寺崎昌人 .

日本专利 :CN113871288B ,2025-03-04

[7]

半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质及衬底处理方法 [P].

八幡橘 ;

大桥直史 ;

山本隆治 .

中国专利 :CN114944324A ,2022-08-26

[8]

衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质 [P].

矶边纪之 ;

永富佳将 .

日本专利 :CN118553600A ,2024-08-27

[9]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

今村友纪 ;

野田孝晓 ;

奥田和幸 ;

寺崎昌人 .

中国专利 :CN113871288A ,2021-12-31

[10]

衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

门岛胜 ;

山本薰 ;

菊池俊之 ;

大桥直史 .

日本专利 :CN119008449A ,2024-11-22

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