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衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410238492.1
申请日：
2024-03-01
公开(公告)号：
CN119230395A
公开(公告)日：
2024-12-31
发明(设计)人：
花岛建夫
中岛智志
申请人：
株式会社国际电气
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L21/31
IPC分类号：
H01L21/02
H01L21/67
C23C16/30
C23C16/455
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
杨宏军
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-31 | 公开 | 公开 |
| 2025-01-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/31申请日:20240301 |