半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110650847.4

申请日：

2021-06-10

公开(公告)号：

CN113871288A

公开(公告)日：

2021-12-31

发明(设计)人：

今村友纪野田孝晓奥田和幸寺崎昌人

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2167 C23C1634 C23C16455 C23C1652

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210610
2021-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

今村友纪 ;

野田孝晓 ;

奥田和幸 ;

寺崎昌人 .

日本专利 :CN113871288B ,2025-03-04

[2]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

野野村一树 ;

寿崎健一 ;

永富佳将 .

日本专利 :CN114250448B ,2024-12-10

[3]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

野野村一树 ;

寿崎健一 ;

永富佳将 .

中国专利 :CN114250448A ,2022-03-29

[4]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

汤浅和宏 ;

赤江尚德 ;

寺崎昌人 .

中国专利 :CN103035485A ,2013-04-10

[5]

衬底处理方法、衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 [P].

奥野正久 ;

角田彻 ;

立野秀人 ;

定田拓也 ;

黑川正路 .

中国专利 :CN105518835A ,2016-04-20

[6]

衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置 [P].

花岛建夫 ;

中岛智志 .

日本专利 :CN119230395A ,2024-12-31

[7]

半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质及衬底处理方法 [P].

八幡橘 ;

大桥直史 ;

山本隆治 .

中国专利 :CN114944324A ,2022-08-26

[8]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置 [P].

清野笃郎 ;

小川有人 ;

松野豊 .

中国专利 :CN114551220A ,2022-05-27

[9]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

原田和宏 ;

南政克 ;

小仓慎太郎 ;

大谷翔吾 ;

桥本良知 .

日本专利 :CN113243042B ,2024-04-09

[10]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

清水富介 ;

永户雅也 ;

尾崎贵志 ;

桥本良知 ;

原田胜吉 .

中国专利 :CN114256059A ,2022-03-29

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