衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410269356.9

申请日：

2024-03-08

公开(公告)号：

CN119008449A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

门岛胜山本薰菊池俊之大桥直史

申请人：

株式会社国际电气

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01J37/32

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/67申请日:20240308
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

中谷公彦 ;

桥本良知 .

中国专利 :CN114203522A ,2022-03-18

[2]

衬底处理方法、衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 [P].

奥野正久 ;

角田彻 ;

立野秀人 ;

定田拓也 ;

黑川正路 .

中国专利 :CN105518835A ,2016-04-20

[3]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

中谷公彦 ;

桥本良知 .

日本专利 :CN114203522B ,2025-06-13

[4]

衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置 [P].

花岛建夫 ;

中岛智志 .

日本专利 :CN119230395A ,2024-12-31

[5]

衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质 [P].

矶边纪之 ;

永富佳将 .

日本专利 :CN118553600A ,2024-08-27

[6]

衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置 [P].

中谷公彦 ;

早稻田崇之 .

日本专利 :CN120700480A ,2025-09-26

[7]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

原田和宏 ;

南政克 ;

小仓慎太郎 ;

大谷翔吾 ;

桥本良知 .

日本专利 :CN113243042B ,2024-04-09

[8]

衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置 [P].

小出纮之 ;

陶山渚 ;

长桥知也 .

日本专利 :CN119265535A ,2025-01-07

[9]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置 [P].

上田立志 ;

中山雅则 ;

舟木克典 ;

坪田康寿 ;

井川博登 ;

山角宥贵 ;

岸本宗树 ;

竹岛雄一郎 ;

市村圭太 .

中国专利 :CN115116826A ,2022-09-27

[10]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

渡桥由悟 ;

女川靖浩 ;

村上孝太郎 ;

芳贺健佑 .

日本专利 :CN113994457B ,2025-04-08

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