半浮栅结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411547752.X

申请日：

2024-10-31

公开(公告)号：

CN119400696B

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

刘少雄王正宇刘郑红钱凯

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L21/28

IPC分类号：

H10D64/01 H10D64/27

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	公开	公开
2025-09-30	授权	授权
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20241031

共 50 条

[1]

半浮栅结构的形成方法 [P].

刘少雄 ;

王正宇 ;

刘郑红 ;

钱凯 .

中国专利 :CN119400696A ,2025-02-07

[2]

抛光方法以及浮栅的形成方法 [P].

黎铭琦 ;

蒋莉 ;

张明华 .

中国专利 :CN102744668A ,2012-10-24

[3]

浮栅层的形成方法 [P].

张怡 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN111341653B ,2020-06-26

[4]

闪存浮栅的形成方法 [P].

马开阳 ;

高毅 ;

左睿昊 ;

周婧涵 .

中国专利 :CN120166702A ,2025-06-17

[5]

浮栅结构的制备方法 [P].

周俊 ;

洪齐元 ;

黄建冬 .

中国专利 :CN103943478A ,2014-07-23

[6]

浮栅器件结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104425625B ,2015-03-18

[7]

栅层形成方法 [P].

居建华 .

中国专利 :CN101364538A ,2009-02-11

[8]

浮栅及其形成方法、闪存单元及其形成方法 [P].

陈勇 .

中国专利 :CN104425226B ,2015-03-18

[9]

浮栅的形成方法和浮栅型存储器 [P].

罗清威 ;

李赟 ;

周俊 .

中国专利 :CN108389790B ,2018-08-10

[10]

一种浮栅的形成方法 [P].

张超然 ;

罗清威 ;

李赟 ;

刘杰 ;

周俊 .

中国专利 :CN108321087A ,2018-07-24

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