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一种高能球磨制备二维氮化镓单晶的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110313961.8
申请日
:
2021-03-24
公开(公告)号
:
CN113151888A
公开(公告)日
:
2021-07-23
发明(设计)人
:
王国栋
王忠新
张雷
王泰林
俞娇仙
赵刚
申请人
:
申请人地址
:
250199 山东省济南市历城区山大南路27号
IPC主分类号
:
C30B100
IPC分类号
:
C30B2940
B02C1710
B02C1720
B02C2306
代理机构
:
济南金迪知识产权代理有限公司 37219
代理人
:
张宏松
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-07-23
公开
公开
共 50 条
[1]
二维氮化镓晶体的制备方法
[P].
吴伟汉
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吴伟汉
;
宋文涛
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宋文涛
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徐耿钊
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徐耿钊
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刘争晖
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刘争晖
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张春玉
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张春玉
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陈科蓓
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陈科蓓
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韩厦
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韩厦
;
徐科
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徐科
.
中国专利
:CN115652436A
,2023-01-31
[2]
二维氮化镓晶体的制备方法
[P].
李春晓
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李春晓
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宋文涛
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宋文涛
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徐耿钊
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徐耿钊
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刘争晖
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刘争晖
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张春玉
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张春玉
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陈科蓓
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陈科蓓
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韩厦
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韩厦
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徐科
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徐科
.
中国专利
:CN114232083A
,2022-03-25
[3]
氮化镓单晶的制备方法
[P].
刘良宏
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刘良宏
;
庄德津
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庄德津
.
中国专利
:CN102140680A
,2011-08-03
[4]
氮化镓单晶的制备方法
[P].
刘良宏
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刘良宏
;
庄德津
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庄德津
.
中国专利
:CN102220640B
,2011-10-19
[5]
一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法、制得的二维氮化镓膜
[P].
于欣欣
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于欣欣
;
张起瑞
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张起瑞
;
吴长征
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吴长征
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周扬
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周扬
;
王大军
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王大军
;
杨广
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杨广
.
中国专利
:CN113549898A
,2021-10-26
[6]
氮化镓单晶的制备方法
[P].
庄文荣
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机构:
东莞市中镓半导体科技有限公司
东莞市中镓半导体科技有限公司
庄文荣
.
中国专利
:CN120311312A
,2025-07-15
[7]
一种梯度球磨制备二维黑磷的方法
[P].
徐玉福
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徐玉福
;
余景源
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余景源
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王乐乐
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王乐乐
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尤涛
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尤涛
;
胡献国
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胡献国
.
中国专利
:CN107117590A
,2017-09-01
[8]
一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法
[P].
王新强
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王新强
;
刘放
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刘放
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刘强
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刘强
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郭昱成
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郭昱成
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吴洁君
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吴洁君
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于彤军
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于彤军
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沈波
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沈波
;
张国义
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张国义
.
中国专利
:CN115579280A
,2023-01-06
[9]
氮化镓单晶衬底的制备方法
[P].
卢敬权
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卢敬权
;
庄文荣
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庄文荣
;
孙明
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孙明
.
中国专利
:CN111769036A
,2020-10-13
[10]
氮化镓单晶衬底的制备方法
[P].
卢敬权
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卢敬权
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庄文荣
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孙明
.
中国专利
:CN111681946B
,2020-09-18
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