提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610111262.0

申请日：

2006-08-17

公开(公告)号：

CN101101935A

公开(公告)日：

2008-01-09

发明(设计)人：

赵德刚杨辉梁骏吾李向阳龚海梅

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L31108

IPC分类号：

H01L310224 H01L3118

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-01-09	公开	公开

共 50 条

[1]

提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 [P].

赵德刚 ;

杨辉 ;

梁骏吾 ;

李向阳 ;

龚海梅 .

中国专利 :CN101101934A ,2008-01-09

[2]

氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法 [P].

赵德刚 ;

杨辉 .

中国专利 :CN1681134A ,2005-10-12

[3]

氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法 [P].

赵德刚 ;

杨辉 .

中国专利 :CN1681135A ,2005-10-12

[4]

平面GaN基紫外探测器及其制作方法 [P].

苏艳梅 ;

种明 ;

张冶金 ;

孙捷 ;

孙秀艳 .

中国专利 :CN110970525A ,2020-04-07

[5]

GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法 [P].

颜廷静 ;

苏艳梅 ;

王国东 ;

种明 .

中国专利 :CN101621066B ,2010-01-06

[6]

一种GaN基紫外探测器及其制作方法 [P].

崔永进 ;

仇美懿 .

中国专利 :CN112366233A ,2021-02-12

[7]

一种GaN基紫外探测器及其制作方法 [P].

崔永进 .

中国专利 :CN112366234A ,2021-02-12

[8]

一种GaN基紫外探测器及其制作方法 [P].

崔永进 ;

仇美懿 .

中国专利 :CN112366250B ,2021-02-12

[9]

背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器 [P].

赵德刚 ;

杨辉 ;

梁骏吾 ;

李向阳 ;

龚海梅 .

中国专利 :CN1956227A ,2007-05-02

[10]

一种新型GaN基PIN结构紫外探测器 [P].

王俊 ;

谢峰 ;

郭进 ;

王皖君 ;

王国胜 ;

周杰 .

中国专利 :CN104779316A ,2015-07-15

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