一种高频逆变功率单元

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420031551.X

申请日：

2014-01-17

公开(公告)号：

CN203734553U

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

李亚斌柴艳鹏刘同召

申请人：

申请人地址：

071000 河北省保定市高新区北三环5999号

IPC主分类号：

H02M700

IPC分类号：

H02M75387 H05K720

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高频逆变功率单元和高频处理方法 [P].

李亚斌 ;

柴艳鹏 ;

刘同召 .

中国专利 :CN103731060A ,2014-04-16

[2]

一种MOSFET高频逆变功率单元 [P].

郑国民 ;

李亚斌 ;

贾春雨 ;

刘志军 .

中国专利 :CN208226882U ,2018-12-11

[3]

一种高频逆变组功率单元模块 [P].

郝然 ;

杨占勋 ;

李晓龙 ;

高华 ;

张龙 ;

黄泽平 .

中国专利 :CN212543667U ,2021-02-12

[4]

一种全桥MOSFET高频逆变功率单元 [P].

乔少颖 ;

刘欢 .

中国专利 :CN212115173U ,2020-12-08

[5]

风冷逆变功率单元 [P].

郭培囵 .

中国专利 :CN214046542U ,2021-08-24

[6]

一种碳化硅逆变功率单元 [P].

张天宇 ;

柴艳鹏 ;

赵文晋 .

中国专利 :CN223613201U ,2025-11-28

[7]

一种IGBT超音频逆变功率单元 [P].

柴艳鹏 ;

郭宇泽 ;

曹鸿 ;

赵文晋 .

中国专利 :CN221408699U ,2024-07-23

[8]

一种高频碳化硅逆变功率单元模块装置 [P].

郝然 ;

柴艳鹏 ;

杨占勋 ;

王九刚 ;

高华 ;

杨诺 ;

何英广 ;

李晓龙 ;

杨华 ;

张明理 ;

黄泽平 .

中国专利 :CN215300515U ,2021-12-24

[9]

一种逆变复合母排以及逆变功率单元 [P].

梁海刚 ;

张丹 ;

李艳伟 ;

王亮亮 ;

王翠云 ;

俞晓丽 .

中国专利 :CN112928967A ,2021-06-08

[10]

一种高性能逆变功率单元 [P].

许建俊 ;

陈文全 ;

李明成 ;

付明星 ;

林建 ;

许本福 .

中国专利 :CN204615676U ,2015-09-02

← 1 2 3 4 5 →