一种全桥MOSFET高频逆变功率单元

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021227979.3

申请日：

2020-06-29

公开(公告)号：

CN212115173U

公开(公告)日：

2020-12-08

发明(设计)人：

乔少颖刘欢

申请人：

申请人地址：

071023 河北省保定市朝阳北大街2258号东门

IPC主分类号：

H02M700

IPC分类号：

H02M75387 H05K720

代理机构：

北京圣州专利代理事务所(普通合伙) 11818

代理人：

王振佳

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MOSFET高频逆变功率单元 [P].

郑国民 ;

李亚斌 ;

贾春雨 ;

刘志军 .

中国专利 :CN208226882U ,2018-12-11

[2]

一种MOSFET高频全桥逆变单元 [P].

李亚斌 ;

彭咏龙 ;

冯海龙 ;

马锡浩 ;

李蕊 .

中国专利 :CN214315072U ,2021-09-28

[3]

一种MOSFET高频全桥逆变单元 [P].

李亚斌 ;

彭咏龙 ;

冯海龙 ;

马锡浩 ;

李蕊 .

中国专利 :CN112865557B ,2024-06-04

[4]

一种MOSFET高频全桥逆变单元 [P].

李亚斌 ;

彭咏龙 ;

冯海龙 ;

马锡浩 ;

李蕊 .

中国专利 :CN112865557A ,2021-05-28

[5]

一种高频逆变功率单元 [P].

李亚斌 ;

柴艳鹏 ;

刘同召 .

中国专利 :CN203734553U ,2014-07-23

[6]

一种高频逆变组功率单元模块 [P].

郝然 ;

杨占勋 ;

李晓龙 ;

高华 ;

张龙 ;

黄泽平 .

中国专利 :CN212543667U ,2021-02-12

[7]

一种高频逆变功率单元和高频处理方法 [P].

李亚斌 ;

柴艳鹏 ;

刘同召 .

中国专利 :CN103731060A ,2014-04-16

[8]

一种全桥高频并联功率单元 [P].

郑国民 .

中国专利 :CN209948976U ,2020-01-14

[9]

一种基于SiC的大功率高频全桥逆变装置 [P].

石坤宏 ;

程志江 ;

陈星志 ;

王裕 ;

杨涵棣 ;

孟德炀 .

中国专利 :CN211481162U ,2020-09-11

[10]

风冷逆变功率单元 [P].

郭培囵 .

中国专利 :CN214046542U ,2021-08-24

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