一种MOSFET高频全桥逆变单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110270520.4

申请日：

2021-03-12

公开(公告)号：

CN112865557B

公开(公告)日：

2024-06-04

发明(设计)人：

李亚斌彭咏龙冯海龙马锡浩李蕊

申请人：

华北电力大学（保定）

申请人地址：

071003 河北省保定市莲池区永华北大街619号

IPC主分类号：

H02M7/00

IPC分类号：

H02M7/5387 H05K7/20

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

杜阳阳

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MOSFET高频全桥逆变单元 [P].

李亚斌 ;

彭咏龙 ;

冯海龙 ;

马锡浩 ;

李蕊 .

中国专利 :CN214315072U ,2021-09-28

[2]

一种MOSFET高频全桥逆变单元 [P].

李亚斌 ;

彭咏龙 ;

冯海龙 ;

马锡浩 ;

李蕊 .

中国专利 :CN112865557A ,2021-05-28

[3]

一种全桥MOSFET高频逆变功率单元 [P].

乔少颖 ;

刘欢 .

中国专利 :CN212115173U ,2020-12-08

[4]

一种MOSFET高频逆变功率单元 [P].

郑国民 ;

李亚斌 ;

贾春雨 ;

刘志军 .

中国专利 :CN208226882U ,2018-12-11

[5]

一种水冷逆变单元装置 [P].

王庆栋 ;

孙夫纯 ;

姬脉胜 ;

马宗腾 ;

刘宗绪 ;

秦鑫宇 .

中国专利 :CN222235402U ,2024-12-24

[6]

一种高频逆变桥式整流装置 [P].

刘少德 ;

姜译文 .

中国专利 :CN206602463U ,2017-10-31

[7]

一种高频逆变桥式整流装置 [P].

刘少德 ;

姜译文 ;

唐来金 .

中国专利 :CN206834996U ,2018-01-02

[8]

一种逆变单元组装结构 [P].

霍焰 ;

吕呼生 ;

韩巍 ;

张文龙 .

中国专利 :CN202513834U ,2012-10-31

[9]

一种基于SiC的大功率高频全桥逆变装置 [P].

石坤宏 ;

程志江 ;

陈星志 ;

王裕 ;

杨涵棣 ;

孟德炀 .

中国专利 :CN211481162U ,2020-09-11

[10]

一种逆变单元 [P].

卫三民 ;

冯哲 ;

宇文博 ;

张飞库 ;

董争伟 ;

惠美婷 .

中国专利 :CN221531978U ,2024-08-13

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