一种铟单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810184412.3

申请日：

2018-03-07

公开(公告)号：

CN108400184A

公开(公告)日：

2018-08-14

发明(设计)人：

程树英余雪赖云锋武四新严琼周海芳

申请人：

申请人地址：

350108 福建省福州市闽侯县福州地区大学新区学园路2号

IPC主分类号：

H01L31032

IPC分类号：

H01L310392 H01L310725 H01L2102 H01L3118

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人：

蔡学俊;高辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-31	授权	授权
2018-08-14	公开	公开
2018-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/032 申请日:20180307

共 50 条

[1]

一种银单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法和应用 [P].

程树英 ;

余雪 ;

严琼 ;

武四新 ;

田庆文 ;

贾宏杰 .

中国专利 :CN107910390B ,2018-04-13

[2]

一种柔性银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜及其制备方法和应用 [P].

程树英 ;

严琼 ;

邓辉 ;

孙全震 ;

杨志远 ;

谢暐昊 .

中国专利 :CN112531036B ,2021-03-19

[3]

一种梯度掺杂AZO薄膜的制备方法及其应用 [P].

余璇 ;

于晓明 ;

陈立桥 ;

潘洪军 .

中国专利 :CN105914299B ,2016-08-31

[4]

一种CZTSSe薄膜的制备方法 [P].

吉成龙 .

中国专利 :CN110872101A ,2020-03-10

[5]

一种掺杂Sb和Na元素的CZTSSe吸收层及其制备方法和应用 [P].

花浩 ;

孙孪鸿 ;

王威 ;

赵毅杰 ;

唐正霞 ;

庞楚泷 .

中国专利 :CN120282568A ,2025-07-08

[6]

一种硒掺杂硫化铟薄膜及其制备方法和应用 [P].

郑照强 ;

陈健妮 ;

蒲作城 ;

全华文 ;

招瑜 .

中国专利 :CN120174334B ,2025-07-29

[7]

一种硒掺杂硫化铟薄膜及其制备方法和应用 [P].

郑照强 ;

陈健妮 ;

蒲作城 ;

全华文 ;

招瑜 .

中国专利 :CN120174334A ,2025-06-20

[8]

一种银铟镓硒薄膜及其制备方法和应用 [P].

张险峰 ;

张成 ;

陈庆武 .

中国专利 :CN108807572A ,2018-11-13

[9]

一种液态锡加热连续硫化硒化法制备CZTSSe薄膜的方法及其CZTSSe薄膜和应用 [P].

张军 ;

邵乐喜 ;

廖峻 ;

莫德云 .

中国专利 :CN105039926A ,2015-11-11

[10]

一种CZTSSe吸收层薄膜及其制备方法和应用 [P].

吕笑公 ;

范文亮 ;

杨陈军 ;

王雨田 ;

栾红梅 .

中国专利 :CN121194541A ,2025-12-23

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