一种梯度掺杂AZO薄膜的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610300455.4

申请日：

2016-05-09

公开(公告)号：

CN105914299B

公开(公告)日：

2016-08-31

发明(设计)人：

余璇于晓明陈立桥潘洪军

申请人：

申请人地址：

316000 浙江省舟山市普陀区朱家尖街道大同路127号

IPC主分类号：

H01L5148

IPC分类号：

H01L5142

代理机构：

杭州杭诚专利事务所有限公司 33109

代理人：

尉伟敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-19	授权	授权
2016-08-31	公开	公开
2016-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101680681502 IPC(主分类):H01L 51/48 专利申请号:2016103004554 申请日:20160509

共 50 条

[1]

一种多层梯度透光掺杂AZO薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108707866A ,2018-10-26

[2]

一种铟单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法和应用 [P].

程树英 ;

余雪 ;

赖云锋 ;

武四新 ;

严琼 ;

周海芳 .

中国专利 :CN108400184A ,2018-08-14

[3]

一种柔性银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜及其制备方法和应用 [P].

程树英 ;

严琼 ;

邓辉 ;

孙全震 ;

杨志远 ;

谢暐昊 .

中国专利 :CN112531036B ,2021-03-19

[4]

一种梯度掺杂半导体聚合物薄膜及其制备方法与应用 [P].

李慧 ;

徐真 ;

陈立东 .

中国专利 :CN115020578A ,2022-09-06

[5]

一种用于倒结构聚合物太阳能电池的ZnO薄膜的制备方法 [P].

赵献峰 ;

余丹 .

中国专利 :CN109994609A ,2019-07-09

[6]

一种用于倒结构聚合物太阳能电池的ZnO薄膜的制备方法 [P].

余璇 ;

于晓明 ;

陈立桥 ;

潘洪军 .

中国专利 :CN105895809A ,2016-08-24

[7]

一种梯度扩散掺杂铁电薄膜及其制备方法 [P].

姜杰 ;

王俊辉 ;

廖佳佳 ;

周益春 .

中国专利 :CN121087485A ,2025-12-09

[8]

一种银单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法和应用 [P].

程树英 ;

余雪 ;

严琼 ;

武四新 ;

田庆文 ;

贾宏杰 .

中国专利 :CN107910390B ,2018-04-13

[9]

一种自发渐变掺杂钙钛矿薄膜、制备方法及其应用 [P].

杨化桂 ;

乔红伟 ;

侯宇 .

中国专利 :CN109786553A ,2019-05-21

[10]

一种二元梯度掺杂BST薄膜的制备方法 [P].

廖家轩 ;

尉旭波 ;

徐自强 ;

汪澎 ;

魏雄邦 .

中国专利 :CN102173783A ,2011-09-07

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