曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010805089.4

申请日：

2020-08-12

公开(公告)号：

CN113495433A

公开(公告)日：

2021-10-12

发明(设计)人：

寺井勇人高桑真步

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G03F900 H01L21027

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

张世俊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-12	公开	公开
2021-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20200812

共 50 条

[1]

曝光装置、曝光方法及半导体装置的制造方法 [P].

远藤政孝 ;

笹子胜 .

中国专利 :CN1725111A ,2006-01-25

[2]

曝光装置、曝光方法及半导体装置的制造方法 [P].

水田吉郎 .

日本专利 :CN119148472A ,2024-12-17

[3]

曝光装置、曝光方法以及半导体装置的制造方法 [P].

水田吉郎 .

日本专利 :CN118226711A ,2024-06-21

[4]

曝光装置、曝光方法、以及用于制造半导体装置的方法 [P].

高桥和弘 .

中国专利 :CN114114847A ,2022-03-01

[5]

防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法 [P].

小野阳介 ;

高村一夫 ;

大久保敦 ;

种市大树 ;

石川比佐子 ;

美谷岛恒明 .

日本专利 :CN112088334B ,2024-08-27

[6]

防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法 [P].

高村一夫 ;

小野阳介 ;

大久保敦 ;

种市大树 ;

石川比佐子 ;

美谷岛恒明 .

中国专利 :CN110325908A ,2019-10-11

[7]

防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法 [P].

小野阳介 ;

高村一夫 ;

大久保敦 ;

种市大树 ;

石川比佐子 ;

美谷岛恒明 .

中国专利 :CN112088334A ,2020-12-15

[8]

半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置 [P].

内田诚一 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN101765908A ,2010-06-30

[9]

曝光装置、曝光方法及半导体器件制造方法 [P].

大森真二 ;

守屋茂 ;

纳土晋一郎 .

中国专利 :CN1735959A ,2006-02-15

[10]

半导体曝光方法与操作半导体曝光装置的方法 [P].

林思闽 ;

李修申 .

中国专利 :CN101025580A ,2007-08-29

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