防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880012953.6

申请日：

2018-02-09

公开(公告)号：

CN110325908A

公开(公告)日：

2019-10-11

发明(设计)人：

高村一夫小野阳介大久保敦种市大树石川比佐子美谷岛恒明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G03F164

IPC分类号：

G03F720

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

钟晶;金鲜英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-11	公开	公开
2019-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/64 申请日:20180209

共 50 条

[1]

防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法 [P].

小野阳介 ;

高村一夫 ;

大久保敦 ;

种市大树 ;

石川比佐子 ;

美谷岛恒明 .

中国专利 :CN112088334A ,2020-12-15

[2]

防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法 [P].

小野阳介 ;

高村一夫 ;

大久保敦 ;

种市大树 ;

石川比佐子 ;

美谷岛恒明 .

日本专利 :CN112088334B ,2024-08-27

[3]

防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法 [P].

小野阳介 ;

高村一夫 .

中国专利 :CN106462052A ,2017-02-22

[4]

防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、防护膜组件的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

大久保敦 ;

高村一夫 ;

石川比佐子 ;

小野阳介 ;

藤井泰久 ;

吉川弥 ;

松本信子 ;

出口朋枝 .

中国专利 :CN115004108A ,2022-09-02

[5]

防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件、其制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法 [P].

小野阳介 ;

大久保敦 ;

高村一夫 ;

关口贵子 ;

加藤雄一 ;

山田健郎 .

中国专利 :CN109416503A ,2019-03-01

[6]

防护膜组件框、防护膜组件及其制造方法、曝光原版及其制造方法、曝光装置以及半导体装置的制造方法 [P].

高村一夫 ;

小野阳介 ;

种市大树 ;

佐藤泰之 ;

广田俊明 .

中国专利 :CN106233201A ,2016-12-14

[7]

曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法 [P].

小野阳介 ;

石川比佐子 ;

小川亮平 ;

大久保敦 ;

高村一夫 ;

关口贵子 ;

加藤雄一 ;

山田健郎 ;

周英 .

中国专利 :CN115398334A ,2022-11-25

[8]

防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜组件的制造方法 [P].

畦崎崇 ;

春田佳一郎 ;

佐藤靖 ;

伊藤健 ;

小野阳介 ;

藤村真史 ;

石川比佐子 .

日本专利 :CN118020023A ,2024-05-10

[9]

防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜组件的制造方法 [P].

田中博文 ;

小野阳介 ;

石川彰 ;

佐藤靖 ;

石川比佐子 ;

藤村真史 ;

大久保敦 ;

高村一夫 .

日本专利 :CN117916662A ,2024-04-19

[10]

防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜的制造方法 [P].

小野阳介 .

日本专利 :CN117377909B ,2024-08-13

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