粘合力优异且低介电损耗的多层聚酰亚胺薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080028122.5

申请日：

2020-03-25

公开(公告)号：

CN113677531A

公开(公告)日：

2021-11-19

发明(设计)人：

李吉男白承烈金纪勋

申请人：

申请人地址：

韩国忠清北道

IPC主分类号：

B32B2728

IPC分类号：

B32B2708 B32B3715 B32B1508 H05K103 C08L7908 C08J518 C08G7310

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

金美莲

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-19	公开	公开
2021-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B32B 27/28 申请日:20200325

共 50 条

[1]

具有优异尺寸稳定性和粘合力的多层聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

李吉男 ;

白承烈 ;

金纪勋 ;

崔祯烈 .

中国专利 :CN113710483A ,2021-11-26

[2]

一种低介电损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

贾叙东 ;

张秋红 ;

刘彩霞 ;

朱唐宋 ;

潘毅 ;

王毅 ;

陈强 ;

施建志 ;

杜鸿昌 .

中国专利 :CN116023656B ,2025-04-29

[3]

超低介电常数、低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法 [P].

张秋禹 ;

雷星锋 ;

乔明涛 ;

田力冬 .

中国专利 :CN105601964A ,2016-05-25

[4]

一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

曹河文 ;

许辉 ;

祝春才 .

中国专利 :CN112480407A ,2021-03-12

[5]

一种联苯型低介电损耗低CTE聚酰亚胺薄膜的制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119081114A ,2024-12-06

[6]

一种低介电损耗的聚酰亚胺及其制备方法 [P].

邹佳伟 ;

郭海泉 ;

杨正华 ;

刘冉 ;

傅轶 ;

栾世方 .

中国专利 :CN115873245B ,2024-05-24

[7]

一种低介电聚酰亚胺、低介电聚酰亚胺薄膜、制备方法及其应用 [P].

张步峰 ;

廖波 ;

钱心远 .

中国专利 :CN114605637A ,2022-06-10

[8]

低介电质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

赵珉相 ;

白承烈 ;

田珍硕 ;

李吉男 .

韩国专利 :CN114616269B ,2024-02-13

[9]

低介电质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

赵珉相 ;

白承烈 ;

田珍硕 ;

李吉男 .

中国专利 :CN114616269A ,2022-06-10

[10]

一种低介电聚酰亚胺、低介电聚酰亚胺薄膜及其柔性软板的制备方法 [P].

鲍锋 ;

刘会超 ;

朱才镇 ;

雷公竹 ;

李茜妍 ;

徐坚 .

中国专利 :CN118373981B ,2025-06-13

← 1 2 3 4 5 →