一种低介电损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211224469.4

申请日：

2022-10-08

公开(公告)号：

CN116023656B

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

贾叙东张秋红刘彩霞朱唐宋潘毅王毅陈强施建志杜鸿昌

申请人：

南京大学四川茵地乐材料科技集团有限公司

申请人地址：

210000 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

IPC主分类号：

C08G73/10

IPC分类号：

C08J5/18 C08L79/08

代理机构：

苏州彰尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32336

代理人：

杨亚洁

法律状态：

授权

国省代码：

黑龙江省哈尔滨市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

曹河文 ;

许辉 ;

祝春才 .

中国专利 :CN112480407A ,2021-03-12

[2]

超低介电常数、低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法 [P].

张秋禹 ;

雷星锋 ;

乔明涛 ;

田力冬 .

中国专利 :CN105601964A ,2016-05-25

[3]

一种低介电聚酰亚胺、低介电聚酰亚胺薄膜、制备方法及其应用 [P].

张步峰 ;

廖波 ;

钱心远 .

中国专利 :CN114605637A ,2022-06-10

[4]

一种联苯型低介电损耗低CTE聚酰亚胺薄膜的制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119081114A ,2024-12-06

[5]

一种低介电损耗的聚酰亚胺及其制备方法 [P].

邹佳伟 ;

郭海泉 ;

杨正华 ;

刘冉 ;

傅轶 ;

栾世方 .

中国专利 :CN115873245B ,2024-05-24

[6]

一种本征高导热低介电损耗结晶聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

王旭 ;

王欣 ;

刘向阳 ;

刘书言 ;

韩昊宇 ;

刘洋 ;

罗龙波 ;

刘昌莉 .

中国专利 :CN116925405B ,2024-01-23

[7]

粘合力优异且低介电损耗的多层聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

李吉男 ;

白承烈 ;

金纪勋 .

中国专利 :CN113677531A ,2021-11-19

[8]

一种低介电聚酰亚胺、其制备方法及低介电聚酰亚胺薄膜 [P].

徐勇 ;

陈坚 ;

汤学妹 .

中国专利 :CN111825839A ,2020-10-27

[9]

一种低介电聚酰亚胺、低介电聚酰亚胺薄膜及其柔性软板的制备方法 [P].

鲍锋 ;

刘会超 ;

朱才镇 ;

雷公竹 ;

李茜妍 ;

徐坚 .

中国专利 :CN118373981B ,2025-06-13

[10]

一种低介电聚酰亚胺、低介电聚酰亚胺薄膜及其柔性软板的制备方法 [P].

鲍锋 ;

刘会超 ;

朱才镇 ;

雷公竹 ;

李茜妍 ;

徐坚 .

中国专利 :CN118373981A ,2024-07-23

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