一种生长氮化铝单晶用可控粒径氮化铝原料的制备方法

被引：0

申请号：

CN202210748578.X

申请日：

2022-06-29

公开(公告)号：

CN115012027A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

王国栋俞瑞仙张雷王守志刘光霞陈成敏

申请人：

申请人地址：

250100 山东省济南市历下区山大南路27号

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2938

代理机构：

济南格源知识产权代理有限公司 37306

代理人：

张蕾

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/00 申请日:20220629
2022-09-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113044816B ,2021-06-29

[2]

氮化铝单晶的制造装置、氮化铝单晶的制造方法及氮化铝单晶 [P].

加藤智久 ;

长井一郎 ;

三浦知则 ;

鎌田弘之 .

中国专利 :CN102405310B ,2012-04-04

[3]

氮化铝单晶的制备方法和制备氮化铝单晶的装置 [P].

武红磊 ;

钟旭辉 ;

覃佐燕 .

中国专利 :CN109371467A ,2019-02-22

[4]

一种氮化铝单晶生长用高纯原料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111364104A ,2020-07-03

[5]

氮化铝单晶衬底的制备方法 [P].

王增华 ;

程红娟 ;

王英民 ;

张弛 ;

张丽 ;

高飞 ;

张颖 .

中国专利 :CN120119323A ,2025-06-10

[6]

一种制备氮化铝单晶的装置和长时稳定生长氮化铝单晶的方法 [P].

王增华 ;

程红娟 ;

王英民 ;

张弛 ;

张丽 ;

高飞 ;

张颖 .

中国专利 :CN120401014A ,2025-08-01

[7]

一种生长氮化铝单晶用坩埚 [P].

刘京明 ;

杨俊 ;

刘彤 ;

董志远 ;

赵有文 .

中国专利 :CN205223407U ,2016-05-11

[8]

一种氮化铝单晶生长方法 [P].

吴亮 ;

曹凯 ;

汪佳 ;

刘理想 ;

龚加玮 ;

王智昊 ;

王琦琨 .

中国专利 :CN106637411A ,2017-05-10

[9]

一种氮化铝单晶生长方法 [P].

吴亮 ;

王智昊 ;

王琦琨 ;

贺广东 ;

雷丹 .

中国专利 :CN107541783A ,2018-01-05

[10]

氮化铝单晶材料制备方法 [P].

杨少延 ;

魏鸿源 ;

焦春美 ;

刘祥林 .

中国专利 :CN102828251A ,2012-12-19

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