一种制备氮化铝单晶的装置和长时稳定生长氮化铝单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510447880.5

申请日：

2025-04-10

公开(公告)号：

CN120401014A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

王增华程红娟王英民张弛张丽高飞张颖

申请人：

中国电子科技集团公司第四十六研究所

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

C30B29/40

IPC分类号：

C30B23/00

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

柳萌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/40申请日:20250410
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化铝单晶的制备方法和制备氮化铝单晶的装置 [P].

武红磊 ;

钟旭辉 ;

覃佐燕 .

中国专利 :CN109371467A ,2019-02-22

[2]

氮化铝单晶的制造装置、氮化铝单晶的制造方法及氮化铝单晶 [P].

加藤智久 ;

长井一郎 ;

三浦知则 ;

鎌田弘之 .

中国专利 :CN102405310B ,2012-04-04

[3]

氮化铝单晶衬底的制备方法 [P].

王增华 ;

程红娟 ;

王英民 ;

张弛 ;

张丽 ;

高飞 ;

张颖 .

中国专利 :CN120119323A ,2025-06-10

[4]

氮化铝单晶的制备装置 [P].

庄德津 ;

刘良宏 .

中国专利 :CN202359230U ,2012-08-01

[5]

一种氮化铝单晶生长方法 [P].

吴亮 ;

曹凯 ;

汪佳 ;

刘理想 ;

龚加玮 ;

王智昊 ;

王琦琨 .

中国专利 :CN106637411A ,2017-05-10

[6]

一种氮化铝单晶生长方法 [P].

吴亮 ;

王智昊 ;

王琦琨 ;

贺广东 ;

雷丹 .

中国专利 :CN107541783A ,2018-01-05

[7]

氮化铝单晶制造方法 [P].

福山博之 ;

东正信 ;

高田和哉 ;

服部刚 .

中国专利 :CN102639764A ,2012-08-15

[8]

一种生长氮化铝单晶用可控粒径氮化铝原料的制备方法 [P].

王国栋 ;

俞瑞仙 ;

张雷 ;

王守志 ;

刘光霞 ;

陈成敏 .

中国专利 :CN115012027A ,2022-09-06

[9]

氮化铝单晶材料制备方法 [P].

杨少延 ;

魏鸿源 ;

焦春美 ;

刘祥林 .

中国专利 :CN102828251A ,2012-12-19

[10]

一种制备氮化铝单晶的方法 [P].

吴亮 ;

贺广东 ;

王智昊 ;

王琦琨 ;

龚加玮 ;

雷丹 ;

黄嘉丽 ;

黄毅 .

中国专利 :CN108624957A ,2018-10-09

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