IGBT器件及IGBT器件的制备方法

被引：0

申请号：

CN202211172433.6

申请日：

2022-09-26

公开(公告)号：

CN115566058A

公开(公告)日：

2023-01-03

发明(设计)人：

高尚

申请人：

申请人地址：

312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L29423 H01L21331 H01L2940 H01L2128

代理机构：

苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502

代理人：

李洋;李丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20220926
2023-01-03	公开	公开

共 50 条

[1]

IGBT器件及IGBT器件的制备方法 [P].

高尚 .

中国专利 :CN115566058B ,2025-12-19

[2]

IGBT器件及IGBT器件的制备方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

黄璇 .

中国专利 :CN111370482A ,2020-07-03

[3]

IGBT器件的制备方法及IGBT器件 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

黄璇 .

中国专利 :CN111354639A ,2020-06-30

[4]

IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN120111912A ,2025-06-06

[5]

IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

王代利 ;

可瑞思 ;

万力 .

中国专利 :CN104091764B ,2014-10-08

[6]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118231251A ,2024-06-21

[7]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

张泉 ;

尹强 ;

肖超 ;

田俊 ;

杨毓龙 .

中国专利 :CN114628247A ,2022-06-14

[8]

一种IGBT器件的制备方法及IGBT器件 [P].

刘倩 ;

祁金伟 .

中国专利 :CN116525435B ,2024-07-19

[9]

一种IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

李豪 ;

张杰 .

中国专利 :CN118156130A ,2024-06-07

[10]

一种IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

李豪 ;

张杰 .

中国专利 :CN118156130B ,2025-03-14

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