双掺杂In4Se3基热电材料及其制备和用途

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专利类型
发明
申请号
CN201210539358.2
申请日
2012-12-14
公开(公告)号
CN103022336A
公开(公告)日
2013-04-03
发明(设计)人
吴立明 林志盛 陈玲
申请人
申请人地址
350002 福建省福州市杨桥西路155号
IPC主分类号
H01L3518
IPC分类号
C22C1200 H01L3534
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
Pb掺杂In4Se3热电材料及其制备方法 [P]. 
吴立明 ;
林志盛 ;
陈玲 .
中国专利 :CN103107278A ,2013-05-15
[2]
一种Sb掺杂AgCuTe的热电材料及其制备方法和用途 [P]. 
王晓欢 ;
夏阳阳 ;
郭优 .
中国专利 :CN119997787B ,2025-07-25
[3]
一种Sb掺杂AgCuTe的热电材料及其制备方法和用途 [P]. 
王晓欢 ;
夏阳阳 ;
郭优 .
中国专利 :CN119997787A ,2025-05-13
[4]
一种Ge、Bi双掺杂的SnTe基热电材料及其制备方法 [P]. 
唐国栋 ;
徐永杰 ;
李爽 ;
张青堂 .
中国专利 :CN115117227A ,2022-09-27
[5]
一种BiAgSeTe基热电材料及其制备方法 [P]. 
刘勇 ;
田野 ;
成波 ;
刘大博 .
中国专利 :CN104218143A ,2014-12-17
[6]
铋和铟双掺杂的碲化铅热电材料及其制备方法 [P]. 
徐骉 ;
张铖昊 ;
付良威 .
中国专利 :CN118159115A ,2024-06-07
[7]
一种AgCuTe基复合热电材料及其制备方法 [P]. 
雷景丹 ;
杨晓允 ;
张希威 ;
耿会娟 ;
汤振杰 .
中国专利 :CN119677392A ,2025-03-21
[8]
Ag掺杂Cu2SnSe4热电材料及降低Cu基热电材料热导率的方法 [P]. 
胡剑峰 ;
郑丽仙 ;
骆军 .
中国专利 :CN111276597A ,2020-06-12
[9]
一种钡铜硫基热电材料及其制备方法 [P]. 
万春磊 ;
宗鹏安 ;
潘伟 .
中国专利 :CN110212080B ,2019-09-06
[10]
纳米SiC颗粒复合CoSb3基热电材料及其制备方法 [P]. 
李敬锋 ;
刘玮书 ;
张波萍 .
中国专利 :CN100427631C ,2007-07-11