功率场效应晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680032632.X

申请日：

2006-07-07

公开(公告)号：

CN101258582B

公开(公告)日：

2008-09-03

发明(设计)人：

M·G·萨乔 F·弗里西纳

申请人：

申请人地址：

意大利布里安扎

IPC主分类号：

H01L2104

IPC分类号：

H01L2978 H01L2924 H01L29423 H01L21265

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王庆海;张志醒

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-03	公开	公开
2008-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-06-22	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[2]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

手塚勉 ;

丰田英二 .

中国专利 :CN101404257A ,2009-04-08

[3]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

细木健治 .

中国专利 :CN1189699A ,1998-08-05

[4]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

星真一 ;

伊藤正纪 ;

大来英之 ;

丸井俊治 .

中国专利 :CN101308796A ,2008-11-19

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

D·K·黃 ;

J·金 ;

C·费恩特斯－埃尔南德斯 ;

B·基佩伦 .

中国专利 :CN103403903A ,2013-11-20

[6]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

野田真 .

中国专利 :CN100420032C ,2004-12-01

[7]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

梅田英和 ;

引田正洋 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN102292801A ,2011-12-21

[8]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

天清宗山 .

中国专利 :CN101826553A ,2010-09-08

[9]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

H·M·纳飞 ;

A·维特 .

中国专利 :CN100464397C ,2007-05-23

[10]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101162731A ,2008-04-16

← 1 2 3 4 5 →