半导体存储装置以及数据读出方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810154751.7
申请日
2018-02-23
公开(公告)号
CN108511018A
公开(公告)日
2018-09-07
发明(设计)人
篠田建
申请人
申请人地址
日本神奈川县横滨市港北区新横滨2-4-8
IPC主分类号
G11C1620
IPC分类号
G11C1626 G11C1608
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
马爽;臧建明
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储装置和数据读出方法 [P]. 
吉冈浩 .
中国专利 :CN100505088C ,2005-09-28
[2]
半导体存储装置以及读出方法 [P]. 
白田理一郎 ;
矢野胜 .
中国专利 :CN113345503A ,2021-09-03
[3]
半导体存储装置以及读出方法 [P]. 
白田理一郎 ;
矢野胜 .
中国专利 :CN113345503B ,2024-05-14
[4]
半导体存储装置以及读出方法 [P]. 
山内一贵 ;
妹尾真言 ;
村上洋树 .
中国专利 :CN109801651A ,2019-05-24
[5]
半导体存储装置以及数据读出方法 [P]. 
清水直树 .
中国专利 :CN108573732A ,2018-09-25
[6]
半导体存储装置以及半导体存储装置的读出方法 [P]. 
佐野圣志 .
中国专利 :CN108735259A ,2018-11-02
[7]
半导体存储装置及其数据读出方法 [P]. 
小嶋英充 .
中国专利 :CN108305661B ,2018-07-20
[8]
半导体存储装置以及读出方法 [P]. 
妹尾真言 .
中国专利 :CN113496755A ,2021-10-12
[9]
半导体存储装置以及读出方法 [P]. 
妹尾真言 .
中国专利 :CN113496755B ,2024-03-22
[10]
半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置 [P]. 
金子哲也 .
中国专利 :CN101740098B ,2010-06-16