在具有金属部件的反应器中处理半导体时减小金属污染物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98804123.5

申请日：

1998-03-06

公开(公告)号：

CN1188546C

公开(公告)日：

2000-05-03

发明(设计)人：

R·J·贝雷 P·J·布拉迪

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C2200

IPC分类号：

C23C810

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

段承恩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-09	授权	授权
2000-05-03	公开	公开
2000-05-10	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2006-05-03	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

用于移除反应器的污染物的方法 [P].

P·罗希欧 ;

O·克卢斯 ;

J·卡拉斯 .

中国专利 :CN102140628A ,2011-08-03

[2]

半导体反应器及半导体反应器用金属母材的涂层形成方法 [P].

都正万 ;

崔荣峻 ;

尹珍国 ;

韩承熙 ;

庾炳容 .

中国专利 :CN108385148B ,2018-08-10

[3]

处理气体污染物的反应器及其设备 [P].

田志伟 .

:CN121003874A ,2025-11-25

[4]

一种去除半导体反应腔内金属污染的方法 [P].

郭盛 ;

陈星建 .

中国专利 :CN115274389B ,2025-05-09

[5]

从水流中除去金属离子污染物的方法 [P].

R·L·比达德 .

中国专利 :CN1133587C ,1999-12-22

[6]

用于监视在晶片处理期间赋给半导体晶片的污染物的量的方法 [P].

J·L·利伯特 ;

L·费 .

中国专利 :CN102687260A ,2012-09-19

[7]

污染物的去除方法、半导体设备及其清洁方法 [P].

关子豪 ;

许乐军 ;

张金凤 ;

郭子顺 .

中国专利 :CN119216303A ,2024-12-31

[8]

光催化反应器和使用该反应器处理气体污染物的方法 [P].

裵臣泰 ;

河秀铉 ;

李愿培 ;

高大英 .

中国专利 :CN102895931A ,2013-01-30

[9]

从液体组合物中除掉腐蚀金属污染物的方法 [P].

A·R·麦克拉伦 ;

S·J·史密夫 ;

D·J·沃特森 ;

B·L·威廉斯 ;

E·S·罗斯 .

中国专利 :CN1103397A ,1995-06-07

[10]

测量皮肤上的金属污染物的方法 [P].

E·D·史密斯三世 ;

J·L·梅耶斯 ;

J·L·摩根 ;

C·P·凯利 ;

A·S·邵楚克 .

中国专利 :CN110869736A ,2020-03-06

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